ST發(fā)布20A/30A功率MOSFETSTK800/8504月29日訊,ST發(fā)布首款以頂部金屬PolarPAK?封裝的功率器件：STK800、STK850,增強(qiáng)了熱量性能、提升了大電流電源使用組件的功率密度。新的STK800、STK850分別為20A/30A功率MOSFET,以標(biāo)準(zhǔn)SO-8封裝,僅需要5mmx6mm板空間,因頂部與底部的熱耗散通道其高度僅為0.8mm。2005年3月,ST與Siliconix就使用PolarPAK?技術(shù)達(dá)成協(xié)議。新封裝的導(dǎo)線(xiàn)架與塑料密封類(lèi)似于多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET封裝,確保了良好的裸片保護(hù)與
ST發(fā)布20A /30A
功率MOSFET STK800 / 850 4月29日訊,ST發(fā)布首款以頂部金屬PolarPAK?封裝的功率器件：STK800、STK 850,增強(qiáng)了熱量性能、提升了大
電流電源使用組件的功率密度。新的STK800、STK 850分別為20A/30A功率MOSFET,以標(biāo)準(zhǔn)
SO-8封裝,僅需要5mm x 6mm板空間,因頂部與底部的熱耗散通道其高度僅為0.8mm。
2005年3月,ST與Silic
onix就使用PolarPAK?技術(shù)達(dá)成協(xié)議。新封裝的導(dǎo)線(xiàn)架與塑料密封類(lèi)似于多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET封裝,確保了良好的裸片保護(hù)與制造的易處理。與標(biāo)準(zhǔn)SO-8相比, PolarPAK 的熱耗散非常有效,它能在相同的占位面積內(nèi)處理兩倍電流。
新器件以ST所有的最新STripFET?技術(shù)制造,該技術(shù)基于提升的單元密度與更小的單元特性,占用了更小的芯片空間,同時(shí)實(shí)現(xiàn)極低的片上阻抗與損耗。10V時(shí),20A STK800典型的RDS(on) 值為6.0mOhm,30A STK850的RDS(on) 值為2.9mOhm。該封裝通過(guò)提供超低的結(jié)到
外殼熱量阻抗與更低的結(jié)溫確保兩個(gè)MOSFET的低片上阻抗特性。
低
電容與總門(mén)電荷數(shù),使STK800成為非絕緣DC/DC壓降轉(zhuǎn)換器中控制FET的理想選擇,而極低的RDS(on) 值使STK850成為卓越的同步FET解決方案。它們的低工作溫度確保了更高效率,并增加了壽命可靠性。新的封裝改善了裸片保護(hù)、確保了制造的易處理,并保持與現(xiàn)有
SMD裝配設(shè)備兼容。器件的多源兼容為客戶(hù)提供了充足的靈活性。
