安森美推出業(yè)內(nèi)最小封裝低壓模擬開關(guān)
新型無鉛超小6-引腳、10-引腳和16-引腳模擬開關(guān)采用1.2 mm2到4.7 mm2板空間,比競爭產(chǎn)品節(jié)約高達70%的空間
2006年1月18日 — 全球領先的電源管理解決方案供應商, 安森美半導體（ONSemiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN）針對便攜和無線音頻應用,推出了三種新型低電阻模擬開關(guān)。這三種6-引腳、10引腳和16引腳器件采用無鉛薄型QFN/薄型DFN封裝,占用板空間1.2 mm2 到4.7 mm2,是業(yè)內(nèi)體積最小、性能最高的音頻模擬開關(guān)。
安森美半導體邏輯及模擬開關(guān)部總監(jiān)DanHuettl說：“空間受限便攜應用的客戶期望在引腳尺寸較小的封裝內(nèi)獲得更高性能。安森美半導體新型模擬開關(guān)滿足了客戶的該項需求。客戶反響非常積極。一些客戶已經(jīng)在其最新的手機設計中采用了該器件,而且正投入量產(chǎn)。”
高性能音頻器件:
這三種新型高性能音頻模擬開關(guān)為低工作電壓的便攜和無線應用中音頻信號大電流開關(guān)而設計,適用于要求導通電阻（Ron）小的較大功率音頻應用,以提高功率效率 。目標應用包括手機、掌上電腦和MP3播放器。
NLAS3799MNR2G是低壓、超小Ron的雙雙極雙擲（雙DPDT）開關(guān)。它的總諧波失真為0.11%,Ron低至0.35歐姆,可獲得優(yōu)越的音頻性能和超低功耗。另外,NLAS3799LMNR2G （低壓邏輯型號）支持1.8V輸入偏差。這些器件采用無鉛16引腳薄型QFN封裝,尺寸為2.6 mm x 1.8 mm x 0.75 mm,占據(jù)的板空間比同類競爭產(chǎn)品小48%,每10,000件的批量單價為0.97美元。
NLAS5223MNR2G 是低壓、超小Ron的雙單極雙擲（雙SPDT）開關(guān)。該模擬開關(guān)提高了低Ron 性能,引腳尺寸比常用的NLAS4684MNR2G小70%�？傊C波失真為0.12%,Ron低至0.35 歐姆,獲得優(yōu)越的音頻性能和超低功耗。另外,NLAS5223LMNR2G的低壓邏輯電平型號支持1.8V輸入偏差。此類器件采用無鉛10-引腳薄型QFN封裝,尺寸為1.4 mm x 1.8 mm x 0.75 mm,每10,000件的批量單價為0.67美元。
NLAS5123MNR2G 是1 歐姆Ron、單單機雙擲（單SPDT）模擬開關(guān),總諧波失真為0.012 %,具有瞬時短路功能。此類器件采用無鉛6-引腳薄型DFN封裝,尺寸為1.2 mm x 1.0 mm x 0.75mm,占據(jù)的空間比競爭產(chǎn)品小53%,每10,000件的批量單價為0.56美元。
