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　　●欠壓閉鎖功能

　　●自適應(yīng)貫通保護(hù)功能

　　●自舉電源電壓至 114V

　　●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流

　　●1.75A 峰值底端柵極上拉電流

　　●耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝

　　●寬 VCC 電壓：4.5V 至 13.5V

　　●1.5Ω 頂端柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻

　　●0.75Ω 底端柵極驅(qū)動(dòng)器下拉電阻

　　●5ns 頂端柵極下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

　　●8ns 頂端柵極上升時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

　　●3ns 底端柵極下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

　　●6ns 底端柵極上升時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載

　　●可驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET

　　MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分：

　　1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。

　　與MOSFET柵極電容充電和放電有關(guān)。這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開關(guān)頻率時(shí)。

　　2. 由于MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。

　　高電平時(shí)和低電平時(shí)的靜態(tài)功耗。

　　3. MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通（穿通）電流產(chǎn)生的功耗。

　　由于MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通而產(chǎn)生的功耗，通常這也被稱為穿通。這是由于輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)的P溝道和N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管（FET）在其導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間切換時(shí)同時(shí)導(dǎo)通而引起的。

　　●分布式電源架構(gòu)

　　●汽車電源