動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的分類(lèi),動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器參數(shù)指標(biāo)等
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種使用場(chǎng)效應(yīng)管柵極、電容作儲(chǔ)存元件的MOS存儲(chǔ)器，輸入數(shù)據(jù)以動(dòng)態(tài)形式予以存儲(chǔ)。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次。如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。
最初，DRAM多使用于關(guān)鍵的存儲(chǔ)器中。由于在現(xiàn)實(shí)中電容會(huì)有漏電的現(xiàn)象，導(dǎo)致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經(jīng)常周期性地充電，否則無(wú)法確保記憶長(zhǎng)存。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱(chēng)為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。
與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單——每一個(gè)位的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處理，相比之下在SRAM上一個(gè)位通常需要六個(gè)晶體管。因此，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高，所以成本較低。但相反的，DRAM也有訪(fǎng)問(wèn)速度較慢，耗電量較大的缺點(diǎn)。
與大部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會(huì)在電力切斷以后立刻消失，因此它屬于一種易失性存儲(chǔ)器（volatile memory）設(shè)備。
動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元是由MOS管的柵極電容C和門(mén)控管組成的，利用場(chǎng)效應(yīng)管的柵極對(duì)其襯底間的分布電容來(lái)保存信息，以存儲(chǔ)電荷的多少，即電容端電壓的高低來(lái)表示“1”和“0”。數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲(chǔ)在柵極電容上，電容上的電壓高表示存儲(chǔ)數(shù)據(jù)1；電容沒(méi)有儲(chǔ)存電荷，電壓為0，表明存儲(chǔ)數(shù)據(jù)0。因存在漏電，使電容存儲(chǔ)的信息不能長(zhǎng)久保持，為防止信息丟失，就必須定時(shí)地給電容補(bǔ)充電荷，這種操作稱(chēng)為“刷新”。
