新版簡況2003ITRS(InternationalTechnologyRoadmapForSemiconductors—2003年國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)已是第6版。自1999年起每逢單年ITRS進行修訂,雙年則僅對部分表格中的數(shù)字進行更新。ITRS2003年版的修訂工作于去年年初即已開始進行,經(jīng)過三次大會的廣泛討論,于2003年底發(fā)表。ITRS2003年版與2001年版相比,參與人數(shù)由839名增加至936名,篇幅也增加不少,由487頁增加至661頁。新版內(nèi)容反映了近兩年來研發(fā)工作的進展,同時提示產(chǎn)業(yè)界
新版簡況
2003ITRS(International Technology Roadmap For Semiconductors—2003年國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)已是第6版。自1999年起每逢單年ITRS進行修訂,雙年則僅對部分表格中的數(shù)字進行更新。ITRS 2003年版的修訂工作于去年年初即已開始進行,經(jīng)過三次大會的廣泛討論,于2003年底發(fā)表。
ITRS 2003年版與
2001年版相比,參與人數(shù)由839名增加至936名,篇幅也增加不少,由487頁增加至
661頁。新版內(nèi)容反映了近兩年來研發(fā)工作的進展,同時提示產(chǎn)業(yè)界人士面對新的強大挑戰(zhàn)要具有清醒的頭腦。
ITRS 2003年版共分
16章,它們是：綜述;系統(tǒng)驅(qū)動;設(shè)計;測試與測試設(shè)備;
RF與混合信號技術(shù);前端工藝;光刻;工廠集成;環(huán)境,安全和保健;計量;設(shè)計;工藝集成;器件與結(jié)構(gòu);新型器件研究;互連;裝配與封裝;成品率的提高;建模與模擬。與2
1001年版相比增加了“RF與混合信號技術(shù)”和“新型器件研究”兩章。
RF集成電路引人注目
現(xiàn)在無線技術(shù)應(yīng)用的RF集成電路包羅萬象,例如：
SiCMOS, Si BiCMOS, Si LDMOS, GaAs MESFET, GaAs PEMT, GaAs HBT,
InPHEMT, InP HBT,等等。它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、制作材料等方面各不相同,各有優(yōu)勢。相對優(yōu)勢又隨著研究工作的進展而在不斷變化,封裝結(jié)構(gòu)也不相同,很難理出一條清晰的線索。
ITRS 2003版將應(yīng)用分為四部分：①0.8~10 GHz頻率范圍的模擬混合信號集成電路;②0.8~10 GHz頻率范圍的收發(fā)器;③0.8~10 GHz頻率范圍的
功率放大器件與功率管理器件;④毫米波器件(10~
100GHz)。
總的來說,無線通信系統(tǒng)對RF器件的要求有價格、上市時間和產(chǎn)品性能等;具體技術(shù)要求則包括：頻帶、功率、功能、外形大小、是否適合大規(guī)模生產(chǎn)等。
硅器件經(jīng)常是依靠縮小幾何尺寸來改進器件的性能,而III-V族化合物器件則主要通過選擇材料和改變材料禁帶結(jié)構(gòu)優(yōu)化載流子的傳輸性能來改進的。硅器件適合大規(guī)模生產(chǎn),價格比較低;而III-V族化合物器件則在性能方面占有優(yōu)勢。至于III-V族化合物器件內(nèi)部,GaAs生產(chǎn)比較成熟,而InP的性能則更顯優(yōu)越。
按照頻率劃分,Si CMOS, SiGe, GaAs, InP器件的可使用頻率依次往上遞增。目前Si和SiGe的界限大約在5 GHz;SiGe和GaAs的界限大約在20 GHz;雖然SiGe的頻率可以達到
40GHz,但是在噪音和功率方面無法和GaAs比;GaAs和InP的界限大約在70GHz附近。但在將來,Si和GaAs的界限將往上移,而GaAs和InP的界限將往下移。估計在相當(dāng)長的一段時間里,一個應(yīng)用領(lǐng)域會出現(xiàn)好幾種產(chǎn)品長期并存的局面。當(dāng)前在無線電話
手機領(lǐng)域,BiCMOS和CMOS并存, BiCMOS略占上風(fēng);將來CMOS有可能超越BiCMOS而居首位。在終端功率放大器
模塊方面目前GaAs HBT和LDMOS在市場份額上相差不多,未來Si有可能超過GaAs。在毫米波
接收器領(lǐng)域,目前主要是GaAs PHEMT和InP HEMT,不久將形成SiGe HBT, GaAs MHEMT, InP HEMT三足鼎立
