MRAM,MRAM簡介，優(yōu)點，應用，結構原理，與其他存儲技術比較
MRAM兼具非易失、高速度、高密度、低耗等各種優(yōu)良特性，所以被認為是電子設備中的理想存儲器。另外，MRAM由于是金屬材料為主，因此抗輻射能力遠較半導體材料強 。
與現(xiàn)有的靜態(tài)存儲器SRAM、動態(tài)存儲器DR AM和快閃存儲器 F l a s h相比，MRAM性能都足非常優(yōu)秀的。
MRAM所帶來的另一個好處：允許將多種存儲器功能集成到一個芯片上，從而削減對多個仔儲器的需求、相應的成體和設備的大�。档拖到y(tǒng)的復雜性 ，提高成本效益并延長電池壽命。
MRAM 之所以具有這樣的性能，是由于與傳統(tǒng)的 RAM 不同，它是靠磁場極化的形式，而不是靠電荷的形式來保存數(shù)據(jù)的。MRAM 的存儲單元的結構如圖 2 所示，它由三個層面構成，最上面的成為自由層，中間的是隧道柵層，下面的是固定層。自由層的磁場極化方向是可以改變的，而固定層的磁場方向固定不變。當自由層與固定層的磁場方向平行時，存儲單元呈現(xiàn)低電阻；當磁場方向相反時，呈現(xiàn)高電阻。MRAM通過檢測存儲單元電阻的高低，來判斷所存儲的數(shù)據(jù)是 0還是1。
圖 3 更加清楚地展示了 MRAM 存儲單元的結構和讀寫方法。圖中下方左側是一個晶體管，當它導通時，電流可流過存儲單元 MTJ(磁性隧道結)，通過與參考值進行比較，判斷存儲單元阻值的高低，從而讀出所存儲的數(shù)據(jù)。當晶體管關斷時，電流可流過編程線 1 和編程線 2(圖中 Writeine 1 和 Write Line 2)，在它們所產生的編程磁場的共同作用下，使自由層的磁場方向發(fā)生改變，從而完成編程的操作。
