DallasSemiconductor近日推出內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、采用單芯片表貼封裝的非易失性SRAM(NVSRAM)模塊——DS3030/DS3045/DS3050/DS3065。在意外或不定期的掉電情況下,這些模塊為保護(hù)重要數(shù)據(jù)提供了一種完全集成的便利方法。器件采用27×27mm、256焊球BGA封裝,并與外部環(huán)境完全隔離密封。新型的DS3030/DS3045/DS3050/DS3065包含可承受回流焊的電池。由于內(nèi)部集成有智能電路,可持續(xù)監(jiān)視VCC,檢查是否超出容限。一旦出現(xiàn)這種情況,自動(dòng)接通鋰
Dallas Semiconductor近日推出內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘(
RTC)、采用單芯片表貼封裝的非易失性SRAM(NVSRAM)
模塊——DS3030/DS3045/DS3050/DS3065。在意外或不定期的掉電情況下,這些模塊為保護(hù)重要數(shù)據(jù)提供了一種完全集成的便利方法。器件采用27×27mm、
256焊球
BGA封裝,并與外部環(huán)境完全隔離密封。
新型的DS3030/DS3045/DS3050/DS3065包含可承受回流焊的
電池。由于內(nèi)部集成有智能電路,可持續(xù)監(jiān)視VCC,檢查是否超出容限。一旦出現(xiàn)這種情況,自動(dòng)接通
鋰電池,并無條件使能寫保護(hù)功能,以防止破壞數(shù)據(jù)。
該
系列存儲(chǔ)器模塊對(duì)執(zhí)行寫操作的次數(shù)沒有限制,而且與處理器接口無需額外的支持電路,可替代SRAM、
EEPROM或
Flash存儲(chǔ)器。3.3V模塊的容量從32k×8位至1M×8位,并具有相同的封裝尺寸和引腳排布,從而無需改變封裝尺寸可增加產(chǎn)品容量。
此外,這些新型模塊內(nèi)置的RTC具有完整的Y2KC時(shí)鐘/日歷功能,包含有RTC報(bào)警、看門狗
定時(shí)器、電池監(jiān)視器以及
電源監(jiān)視器。RTC寄存器包含世紀(jì)、年、月、日、星期、時(shí)、分、秒數(shù)據(jù),采用
24小時(shí)BCD格式。每月天數(shù)以及閏年的修正可自動(dòng)完成。
該系列產(chǎn)品采用單芯片架構(gòu),所以可采用標(biāo)準(zhǔn)裝配工藝來處理。采用現(xiàn)有的拾取-貼放設(shè)備即可從料盤上拾取器件并進(jìn)行貼放。該系列模塊與標(biāo)準(zhǔn)
SMT工藝相兼容,可承受+225℃/+0℃/-5℃的峰值回流焊溫度長達(dá)30秒�；亓骱竿瓿珊�,可用水基溶液對(duì)這些模塊進(jìn)行清洗,無需特殊的防護(hù)。
