IDT發(fā)宣布了已生產(chǎn)出業(yè)界首個(gè)采用臺(tái)積電公司（TSMC）90nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的網(wǎng)絡(luò)搜索引擎�，F(xiàn)已提供正在試樣品階段的下第二一代NSE器件在性能、成本和功耗方面達(dá)到了新的水平,可進(jìn)一步加速企業(yè)交換機(jī)和核心/邊沿路由器的信息包處理能力的新水平。利采用最先進(jìn)的工藝處理技術(shù)和創(chuàng)新穎的設(shè)計(jì)技術(shù),IDT的第二代下一代NSE僅以一半的功耗和70%的封狀尺寸就即可實(shí)現(xiàn)了雙倍的核中心搜索性能。此外,由于TSMC90nm技術(shù)在的生產(chǎn)過程中過程采用了300
IDT發(fā)宣布了已生產(chǎn)出業(yè)界首個(gè)采用臺(tái)積電公司（TSMC）90nm 工藝技術(shù)生產(chǎn)的網(wǎng)絡(luò)搜索引擎�，F(xiàn)已提供正在試樣品階段的下第二一代
NSE 器件在性能、成本和功耗方面達(dá)到了新的水平,可進(jìn)一步加速企業(yè)
交換機(jī)和核心/邊沿路由器的信息包處理能力的新水平。
利采用最先進(jìn)的工藝處理技術(shù)和創(chuàng)新穎的設(shè)計(jì)技術(shù),IDT 的第二代下一代 NSE 僅以一半的功耗和 70% 的封狀尺寸就即可實(shí)現(xiàn)了雙倍的核中心搜索性能。此外,由于 TSMC 90nm 技術(shù)在的生產(chǎn)過程中過程采用了
300mm 晶圓,使IDT 實(shí)現(xiàn)了世界級(jí)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模和高效的 NSE 生產(chǎn)。
IDT 副總裁兼
IP 協(xié)處理器產(chǎn)品部總經(jīng)理 Scott Sarnikowski 先生表示：“我們的產(chǎn)品開發(fā)戰(zhàn)略整合了采用合適的內(nèi)部生產(chǎn)和外包的混合形式的是對(duì)先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)施器件采用合適的內(nèi)部生產(chǎn)和外包混合形式,例如 TSMC就是一個(gè)例子。在這個(gè)案例中種情況下,我們利用自己的設(shè)計(jì)專長(zhǎng)加上 TSMC 嫻熟的制造工藝架構(gòu)處理的內(nèi)部知識(shí)豐富我們的設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)來開發(fā)出了 NSE 產(chǎn)品,
