英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進的硬盤驅(qū)動器讀取信道內(nèi)核,這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司共同開發(fā),是適用于下一代硬盤驅(qū)動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。英飛凌副總裁兼專用集成電路和設(shè)計解決方案事業(yè)部（ADS）總經(jīng)理SandroCerato說：“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核,使硬盤驅(qū)動器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求,包括更高的數(shù)據(jù)率、更低的能耗和更
英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進的硬盤驅(qū)動器讀取信道內(nèi)核,這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和
日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司共同開發(fā),是適用于下一代硬盤驅(qū)動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。
英飛凌副總裁兼專用集成電路和設(shè)計解決方案事業(yè)部（
ADS）總經(jīng)理Sandro Cerato說：“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核,使硬盤驅(qū)動器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求,包括更高的數(shù)據(jù)率、更低的能耗和更小的晶片面積,從而能夠以更具競爭力的成本推出更高級的片上系統(tǒng)（
SOC）解決方案。首例經(jīng)過測試的內(nèi)核芯片,鎖相環(huán)路(
PLL)能夠達到3.6GHz的速度,而模擬前端信號通道可以實現(xiàn)高達2.7Gb/s的數(shù)據(jù)率。和采用130納米工藝的先進讀取信道相比,性能提高約50%�！�
市場分析公司Gartner Dataquest于2005年8月發(fā)表的研究報告表明,在移動和臺式設(shè)置應用的推動下,全球硬盤驅(qū)動器產(chǎn)品市場規(guī)模預計將從2005年的
33億美元增長到2009年的45億美元,增幅近30%。
新一代讀取信道技術(shù)可以支持一些高級的功能,如垂直錄寫,并利用第二代反向并聯(lián)編碼技術(shù)來大幅提高存儲密度,實現(xiàn)更佳的信噪比（
SNR）性能。
英飛凌的90納米讀取信道內(nèi)核立足于一個通用架構(gòu),適用于所有硬盤驅(qū)動器細分市場（如企業(yè)級、臺式、移動和超低功耗應用等）。按照每個細分市場的特定目標參數(shù)進行定制化設(shè)計,能夠滿足不同硬盤驅(qū)動器平臺的要求。
目前英飛凌正在開發(fā)另一種讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品,用于
電池供電設(shè)備,旨在實現(xiàn)極低的功耗。由于采用了能夠支持
手機等便攜產(chǎn)品的英飛凌90納米工藝,這種產(chǎn)品還能實現(xiàn)超長的待機時間和更佳的泄漏
電流表現(xiàn)。
