日本東芝公司(Toshiba)日前宣布,一種被命名為DTMOS的新式功率MOSFET,由于采用最新的超結合技術,DTMOS的導通電阻(RDSon)僅相當于傳統(tǒng)的MOSFET的40%左右,可降低功耗。在采用這項技術的系列產(chǎn)品中第一個產(chǎn)品是0TK15A60S,它的市場定位于電視機電源、家用電器、交流電適配器、照明鎮(zhèn)流器。由于擁有垂直通道,超結合技術結構可以允許電流在硅襯底順利流通,降低了導通電阻,突破了硅晶體理論極限。在應用超結合技術結構和優(yōu)化設備的基礎上,
日本東芝公司(
Toshiba)日前宣布,一種被命名為DTMOS的新式
功率MOSFET,由于采用最新的超結合技術,DTMOS的導通
電阻(RDSon)僅相當于傳統(tǒng)的MOSFET的
40%左右,可降低功耗。在采用這項技術的
系列產(chǎn)品中第一個產(chǎn)品是0TK
15A60S,它的市場定位于電視機
電源、家用電器、交流電適配器、照明鎮(zhèn)流器。
由于擁有垂直通道,超結合技術結構可以允許
電流在硅襯底順利流通,降低了導通電阻,突破了硅
晶體理論極限。在應用超結合技術結構和優(yōu)化設備的基礎上,在同系列的東芝DTMOS設備,導通狀態(tài)電阻可降低60%的電力消耗,并且與東芝傳統(tǒng)的MOSFET相比,RDSon的閘極電荷(Qg)減少40%。因此,RDSon x Qg(a)最顯著的特征就是其MOSFET性能指標(數(shù)值越低越好)僅是公司傳統(tǒng)的MOSFET的四分之一。
