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安森美半導(dǎo)體推出微型封裝電壓抑制器件
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安森美半導(dǎo)體推出微型封裝電壓抑制器件  2012/3/1
安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)推出全新高性能、微型封裝的靜電放電(ESD)保護二極管系列,專為便攜式產(chǎn)品和電池供電應(yīng)用中電壓敏感元件提供單線保護而設(shè)計。新系列中的五個ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1(2.5V),ESD5Z3.3T1(3.3V),ESD5Z5.0T1(5.0V),ESD5Z6.0T1(6.0V)和ESD5Z7.0T1(7.0V)。這些器件為鉗制快速上升的ESD脈沖而設(shè)計,防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30kV的輸入波形(符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn))將在幾納秒鐘內(nèi)被E
 

安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor)推出全新高性能、微型封裝的靜電放電(ESD)保護二極管系列,專為便攜式產(chǎn)品和電池供電應(yīng)用中電壓敏感元件提供單線保護而設(shè)計。

新系列中的五個ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1(2.5 V), ESD5Z3.3T1(3.3 V), ESD5Z5.0T1 (5.0 V), ESD5Z6.0T1(6.0 V)和ESD5Z7.0T1(7.0 V)。這些器件為鉗制快速上升的ESD脈沖而設(shè)計,防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kV的輸入波形(符合 IEC61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn))將在幾納秒鐘內(nèi)被ESD5Z 系列器件鉗制到7V以下 。這些器件尺寸小,便于放置在ESD 可進入系統(tǒng)的輸入/輸出端口附近,因此可在瞬態(tài)電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關(guān)閉狀態(tài)下,這些ESD5Z器件的泄漏電流僅為5 納安(nA)之低,因此是極重要的節(jié)電應(yīng)用的理想選擇 。這些器件也適用于保護電壓敏感元件,防止電源線上的負載開關(guān)產(chǎn)生瞬流,并且可以在8 x 20 微秒(µsec)的脈沖波形內(nèi)耗散200 W。

ESD5Z 器件采用超小的SOD-523 封裝,尺寸僅為1.6 mm x 0.8 mm x 0.7 mm,是手機、PDA和MP3播放器的理想選擇,板面積對這些便攜產(chǎn)品來說是極為珍貴的,但ESD卻經(jīng)常發(fā)生,所以設(shè)計人員考慮到板面積或板布局的因素,不可使用多線保護器件。因此ESD5Z系列為設(shè)計者提供了單線保護的最大靈活性。

ESD5Z 系列的性能在多個方面優(yōu)于常用的多層變阻器(MLV),同時還保持了尺寸小的優(yōu)勢。器件的最大鉗制電壓小于MLV的一半,為敏感的集成電路提供了優(yōu)異的保護。ESD5Z 二極管中關(guān)閉狀態(tài)的泄漏電平為5 nA,電池使用壽命比更高泄漏電平的MLV更具優(yōu)勢。ESD5Z 二極管除了能夠多次承受ESD 沖擊,還可保持其電氣特性。

安森美半導(dǎo)體小信號部總經(jīng)理Mamoon Rashid說:“因為便攜式應(yīng)用的集成電路越來越小,越來越密集,所以對ESD電壓也越來越敏感。安森美半導(dǎo)體將繼續(xù)在這個極具挑戰(zhàn)的應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)開發(fā)高性能的ESD電壓抑制解決方案�!�

封裝和價格
ESD5Z2.5T1, ESD5Z3.3T1, ESD5Z5.0T1, ESD5Z6.0T1和ESD5Z7.0T1 系列采用SOD-523封裝,每10,000件的批量單價為0.038美元。

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