片式化：電子元件發(fā)展主流
電子元件發(fā)展五大趨勢(shì)
小型化。電子產(chǎn)品的多功能化和便攜式同時(shí)要求電子元件產(chǎn)品在保持原有性能的基礎(chǔ)上不斷縮小元件的尺寸。以多層陶瓷電容器(MLCC)為例，目前的主流產(chǎn)品的尺寸正在從0603型向0402型過(guò)渡，而更受市場(chǎng)歡迎的高端產(chǎn)品是0201型。尺寸的縮小涉及一系列材料和工藝問(wèn)題，這些問(wèn)題是目前無(wú)源元件研究的一個(gè)熱點(diǎn)，一些新材料和前沿技術(shù)(如納米技術(shù)等)已開始被用于超小型元件的工藝之中。
多功能化。隨著電子新型產(chǎn)品功能的不斷增加，對(duì)片式元件功能的要求也越來(lái)越多樣化。盡管從數(shù)量上看，電子元件的片式化率已高達(dá)70%以上，但發(fā)展很不均衡，一些元件由于工藝、結(jié)構(gòu)及材料等原因，片式化的難度較大。如具有電感結(jié)構(gòu)的磁珠元件，其功能不在于作為一個(gè)電感器，而是抗電磁干擾，目前片式化的磁珠元件已成為用量最大的一類片式電感類元件。這些新元件的設(shè)計(jì)和材料都是電子元件所面臨的新問(wèn)題。目前，為了實(shí)現(xiàn)微波陶瓷元件、過(guò)流保護(hù)元件、敏感陶瓷元件、磁性變壓器等元件的片式化，世界各國(guó)都在開發(fā)具有低溫?zé)Y(jié)特性的微波陶瓷介質(zhì)和敏感陶瓷材料及相應(yīng)材料的多層共燒技術(shù)。
集成模塊化。由于無(wú)源電子元件的制造工藝在材料和技術(shù)上差異很大，很長(zhǎng)時(shí)間以來(lái)一直以分立元件的形式使用。盡管人們一直在片式元件的小型化方面進(jìn)行著一系列努力，但與半導(dǎo)體器件的高度集成化相比，其發(fā)展相對(duì)緩慢得多。近年來(lái)，由于低溫共燒陶瓷(LTCC)等技術(shù)的突破才使無(wú)源集成技術(shù)進(jìn)入了實(shí)用化和產(chǎn)業(yè)化階段，并成為備受關(guān)注的技術(shù)制高點(diǎn)�；贚TCC技術(shù)的片式元件及其集成化產(chǎn)品的產(chǎn)值一直以每?jī)赡攴环乃俣劝l(fā)展。據(jù)預(yù)測(cè)，到2010年，僅中國(guó)內(nèi)地的LTCC產(chǎn)品市場(chǎng)就將達(dá)到30億美元。
高頻化、寬頻化。電子產(chǎn)品向高頻(微**段)發(fā)展的趨勢(shì)很強(qiáng)勁，如無(wú)線移動(dòng)通信發(fā)展到2GHz，藍(lán)牙技術(shù)是2.4GHz，短距離無(wú)線數(shù)據(jù)交換系統(tǒng)可達(dá)5.8GHz。此外，高速數(shù)字電路產(chǎn)品越來(lái)越多，光通信的傳輸速度已從2.5Gbps發(fā)展到10Gbps。這些進(jìn)展都對(duì)電子元器件提出了更高的要求，如降低寄生電感、寄生電容、提高自諧振頻率、降低高頻ESR、提高高頻Q值等。
綠色化。在電子元件的制造過(guò)程中，往往使用大量有毒物料，如清洗劑、溶劑、焊料及某些原材料等。部分電子元件成品中有時(shí)也含有有毒物質(zhì)，如汞、鉛、鎘等。現(xiàn)在一些發(fā)達(dá)國(guó)家已經(jīng)立法禁用這些有害物質(zhì)，提倡綠色電子。我國(guó)電子元件行業(yè)也面臨這一課題，有大量的技術(shù)問(wèn)題有待于解決。
我國(guó)片式電子元件取得飛速發(fā)展
近年來(lái)，國(guó)家“863”計(jì)劃、高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程項(xiàng)目、電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金項(xiàng)目等重大研究計(jì)劃均支持了片式元件相關(guān)的研究項(xiàng)目。其中國(guó)家“863”計(jì)劃對(duì)電子元件材料及其關(guān)鍵技術(shù)的研究給以了長(zhǎng)期穩(wěn)定的支持�！捌呶濉逼陂g“863”支持了多層陶瓷電容器的研究；“八五”末期，高性能低溫?zé)Y(jié)MLCC項(xiàng)目被列為“863”重大成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目；“九五”期間，高性能表面安裝元件被列為“863”重大項(xiàng)目；“十五”期間，新一代高性能片式元件的關(guān)鍵材料與技術(shù)被列為“863”重點(diǎn)項(xiàng)目。
