先進(jìn)的90納米CMOS工藝技術(shù)即將實(shí)用化
飛利浦電子、意法半導(dǎo)體和TW半導(dǎo)體制造有限公司宣布,三家公司在新的先進(jìn)的90納米（0.09微米） CMOS技術(shù)上達(dá)成一項(xiàng)合作協(xié)議。三方協(xié)議還包括CMOS下一代技術(shù)65納米以及更小納米CMOS的開發(fā)。
90納米試驗(yàn)裝置已經(jīng)分別在飛利浦和ST的法國Crolles工廠、TW半導(dǎo)體新竹工廠內(nèi)竣工。90納米產(chǎn)品的原型預(yù)計(jì)在今年的下半年推出。項(xiàng)目開發(fā)采用三家企業(yè)內(nèi)部的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和客戶技術(shù)設(shè)計(jì)機(jī)構(gòu)的專業(yè)技術(shù)。90納米工藝涉及三個(gè)合作伙伴及其相關(guān)的先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)室,包括“飛利浦研究”、IMEC、 CEA/LETI和“法國電信研發(fā)”在內(nèi)的資源合作。預(yù)計(jì)三方的合作能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員盡早使用工業(yè)領(lǐng)先的90納米技術(shù)提供機(jī)會(huì)。利用這一開發(fā)項(xiàng)目的客戶將因?yàn)閾碛兄С中聭?yīng)用的高性能器件而在市場(chǎng)領(lǐng)先和培養(yǎng)新市場(chǎng)上獲得更大的實(shí)惠。
2001年第四季度,這項(xiàng)新的合作技術(shù)已經(jīng)在法國 Crolles試驗(yàn)線和TW半導(dǎo)體Fab3研發(fā)設(shè)施上生產(chǎn)的全功能試驗(yàn)芯片上完成了驗(yàn)證。這些試驗(yàn)芯片包括1兆位和4兆位的嵌入式靜態(tài)RAM (SRAM)。SRAM的 735kb/mm2密度已處于世界最高水平,不過,當(dāng)SRAM 單元面積從最初的1.36μm2降至1.27μm2時(shí),SRAM的密度將會(huì)更上一層樓。
90納米工藝簡(jiǎn)介
與今天的0.13微米技術(shù)相比,90納米工藝可望在速度、功耗、集成和密度上取得大幅度改進(jìn)。例如,一個(gè)采用90納米工藝制造的器件所占用的面積,僅是一個(gè)0.13微米器件所占據(jù)的面積一半。這種優(yōu)勢(shì)允許每個(gè)硅片上可以集成包含4億個(gè)晶體管的電路,反過來,還會(huì)使制造商生產(chǎn)的產(chǎn)品不僅具有高性能、復(fù)雜性,而且還具有較高的成本效益。
這種新工藝預(yù)計(jì)對(duì)“一體化產(chǎn)品”制造商特別有利,如移動(dòng)多媒體裝置（包括3代和4代移動(dòng)電話）以及集成DVD、機(jī)頂盒和個(gè)人錄像機(jī)等應(yīng)用功能的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品。
