功率MOSFET晶體管的導通電阻顯著降低
----STMicroelectronics公司（位于美國麻塞諸塞州的Lexington）提出了一種新的制造功率MOSFET晶體管的技術。與傳統(tǒng)的功率MOSFET晶體管相比可以將導通電阻降低至原來的三分之一到四分之一。導通電阻可隨電壓的變化而變化。此項技術稱為 Multiple Drain Mesh （ MDmesh ),與該公司的已經(jīng)獲得專利保護的 MeshOverlay horizontal layout 相結合構成了新穎的漏極構造。
----漏極分成許多小區(qū),由許多垂直的p-型漏極條和許多薄的水平的n-型源極條平行排列構成 。這樣的漏極構成方式可以將擊穿電壓提高一倍。
----該公司還宣稱,此種技術還具有優(yōu)異的dV/dt特性和雪崩特性。預計MDmesh晶體管的柵極電荷比類似的器件低40%。其它的優(yōu)點還有：可以簡化制造過程和降低熱阻。在125℃時的熱阻為1.7,而傳統(tǒng)結構晶體管的熱阻一般都超過2。
----采用MDmesh技術生產(chǎn)的第一批器件有STP12NM50和STD5NM50型號的MOSFET晶體管。STP12NM50的額定值為：500V和0.35Ω封裝型號為TO-220。STD5NM50的額定值為：500V 和0.8Ω,封裝型號為DPAK。當批量超過10,000只時,STP12NM50和STD5NM50的每只價格分別為：1.30和0.65美元。如愿進一步了解情況,請和STMicroelectronics公司的Wayne Salata聯(lián)系,電話號碼為;847-969-2423;或請訪問：
