精簡制程整合核心 瑞薩描繪低功耗MCU藍圖
當(dāng)其他競爭者正在把控制器產(chǎn)品線往8位元和32位元移動集中之際，瑞薩（Renesas）電子則持續(xù)堅持提供完整涵蓋8、16和32位元微控制器的產(chǎn)品線，針對16位元低功耗微控制器，瑞薩也有進一步的發(fā)展策略。
瑞薩電子MCU事業(yè)本部統(tǒng)括部長川下智惠（Norishige Kawashimo）表示，目前瑞薩依舊同時具有R8C、78K、RX、SuperH、V850等5種CPU架構(gòu)的MCU產(chǎn)品線，其中R8C和78K核心針對低功耗市場應(yīng)用，RX架構(gòu)則是針對中階MCU產(chǎn)品，而SuperH和V850核心則是鎖定高階MCU應(yīng)用。盡管V850和78K這2款CPU核心先前屬于NEC電子，在瑞薩與NEC合并、同時進一步提升MCU制程環(huán)境整合度的努力下，瑞薩可針對這5種不同CPU內(nèi)嵌Flash存儲器的架構(gòu)，提供相適應(yīng)最佳化的制程技術(shù)。
以R8C和78K架構(gòu)為核心的16位元低功耗MCU為例，以前瑞薩的R8C架構(gòu)是采用150納米制程，藉由與NEC電子的合并效益，現(xiàn)在瑞薩可透過整合78K核心，將低功耗MCU內(nèi)嵌Flash存儲器的制程技術(shù)，提升到130納米階段，并且得以兼顧高效能和低功耗的設(shè)計。這款名為RL78整合核心的新世代16位元MCU架構(gòu)，也能進一步涵蓋8位元MCU市場。藉由整合低功耗核心MCU平臺的出現(xiàn)，瑞薩也將從2011年開始陸續(xù)推出相關(guān)8～16位元的低功耗MCU產(chǎn)品。
川下智惠進一步指出，相較于以往采用150納米制程的R8C架構(gòu)，采用130納米制程的新世代RL78整合核心MCU產(chǎn)品，就明顯減少50％的尺寸和功耗，在在啟用實時時鐘（RTC）及低電壓偵測（LVD）的條件下，作業(yè)狀態(tài)只需要70μA/MHz的電流量，待機時間也只有0.7μA的電流量。
整體來看，在與NEC電子合并之后，瑞薩電子在MCU整合Flash存儲器的制程技術(shù)上，有了更為精簡的策略規(guī)劃。目前針對RX、SuperH和V850等高效能CPU核心的MCU產(chǎn)品，瑞薩將從90納米過渡到40納米制程，預(yù)計40納米制程的高效能MCU樣品將在2012年公布。至于整合R8C和78K的RL78核心低功耗MCU系列，便以130納米制程為主。藉由建立新的fabnetwork，瑞薩要進一步有效降低生產(chǎn)成本，并強化因應(yīng)市場持續(xù)變化的需求與趨勢的能力。
