DRAM,特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì),DRAM產(chǎn)業(yè),DRAM市場(chǎng)
1、DRAM市場(chǎng)下滑
2011年很可能是NAND之年，而不是DRAM之年。平板電腦已經(jīng)開始吞噬低端筆記本/上網(wǎng)本市場(chǎng)。在這種情況下，DRAM容量達(dá)2GB的小型筆記本電腦已被平板電腦取代，而后者僅提供256Mb或1/8大小的容量。因此，DRAM供應(yīng)過(guò)剩。
2、采用30nm節(jié)點(diǎn)工藝
總體而言，所有廠商正在遷移到各種形式的3xnm中來(lái)。三星和海力士都遷移到了3xnm。有趣的是，爾必達(dá)也試圖實(shí)現(xiàn)從65nm或65xS（65nm的縮小版）到3xnm的飛躍，力爭(zhēng)大幅度降低成本。
3、韓國(guó)制造商壟斷市場(chǎng)
與呈現(xiàn)分級(jí)局面的NAND市場(chǎng)不同，DRAM市場(chǎng)則存在被韓國(guó)制造商壟斷的風(fēng)險(xiǎn)。目前，在前端（利潤(rùn)最大的技術(shù)）只有三星和海力士稱得上是一級(jí)廠商，而美光、南亞、華亞（資金、技術(shù)略微落后）屬于二級(jí)廠商，爾必達(dá)、力晶、瑞晶（技術(shù)、資金比較落后，但尋求實(shí)現(xiàn)重大飛躍）屬于三級(jí)廠商。
對(duì)于DRAM市場(chǎng)，三星優(yōu)勢(shì)明顯。他們還專注于制造30nm DRAM所需的 （阿麥斯公司） NXT （微影）工具市場(chǎng)。三星在這一年成功地增加了他們?cè)贒RAM市場(chǎng)的份額。相比全球DRAM市場(chǎng)大約45%～50%的增長(zhǎng)率，三星實(shí)現(xiàn)了近70%的增長(zhǎng)率。
海力士是一家知名的DRAM廠商，僅次于三星。目前唯一的問(wèn)題在于債務(wù)負(fù)擔(dān)和所有制結(jié)構(gòu)，我們希望這些問(wèn)題會(huì)在2011年得到解決。海力士在韓國(guó)M10晶圓廠和無(wú)錫（中國(guó)）生產(chǎn)4xnm和3xnm的DRAM，緊隨三星之后。隨著明年海力士從8F2架構(gòu)移動(dòng)到6F2架構(gòu)，我們將會(huì)看到他們?nèi)〉酶蟮某晒Α?/FONT>
4、美光陣營(yíng)的艱難時(shí)期
曾幾何時(shí)，美光似乎也躋身到一級(jí)廠商的陣營(yíng)中，事實(shí)上，在2009年間美光已被評(píng)定為一級(jí)廠商，但這是依賴于他們完美地進(jìn)行了DRAM電容規(guī)格過(guò)渡而實(shí)現(xiàn)的。2010年初的大批訂單開了個(gè)好頭，但所帶來(lái)的收益卻不夠充足，全年的增長(zhǎng)率也開始下降。
溝槽式到堆棧式的過(guò)渡并不十分順利（對(duì)于美光的臺(tái)灣合作伙伴而言）。南亞和華亞仍舊在努力生產(chǎn)50nm的DRAM，對(duì)于我們所期待的向40nm和30nm轉(zhuǎn)變將十分困難。但至少隨著溝槽式到堆棧式過(guò)度的完成，明年的情況或許會(huì)有所改觀。因此，或許今年可以被記錄一個(gè)學(xué)習(xí)曲線，隨著明年美光與其合作伙伴南亞以及華亞擁有取得進(jìn)展的必要資金，都將實(shí)現(xiàn)4xnm和3xnm的轉(zhuǎn)變。跡象表明，2011年美光能夠指導(dǎo)他們2/3的資本支出投向NAND。
5、爾必達(dá)的壓賭
爾必達(dá)已經(jīng)盡其所能爭(zhēng)取回到主要DRAM廠商的地位。首先，臺(tái)灣政府對(duì)DRAM的經(jīng)濟(jì)援助并未成功，但瑞晶、麗晶與茂德公司的合作關(guān)系依舊保持�，F(xiàn)在，爾必達(dá)正努力提高在日本和臺(tái)灣金融市場(chǎng)的融資。此外，在技術(shù)方面該公司推出了65nm XS，一個(gè)縮小的65nm DRAM芯片版本，這種芯片可使其在DRAM價(jià)格持續(xù)上升時(shí)仍能獲得利潤(rùn)。另外，該公司正在努力實(shí)現(xiàn)40nm和30nm的飛躍。
