半導體氣敏傳感器有多種分類方法,主要一種是將其分為兩類—電導控制型氣敏傳感器和電壓控制氣敏傳感器。其中電導控制型一般以金屬氧化物半導體材料如SnO、ZnO、FeO系為基體,加入合適的催化金屬和添加劑,采用燒結、厚膜或薄膜工藝制成。
半導體氣敏傳感器包括硫化氫氣敏傳感器和一氧化碳氣敏傳感器兩個敏感器件。硫化氫氣敏傳感器是采用MOS場效應晶體管結構,利用過渡金屬作柵極的氣敏元件,當空氣中存在硫化氫時,場效應晶體管的開啟電壓發(fā)生變化,變化的幅度與硫化氫的濃度成比例。一氧化碳氣敏傳感器是利用以二氧化錫為基體的鉑-銻-二氧化錫敏感材料制成的表面電阻控制型敏感器件,當空氣中有微量的一氧化碳存在時,器件的電阻急劇下降。該兩種敏感器件靈敏度均≤10ppm;響應時間均≤0秒;感應時間均≤1秒。