動態(tài)隨機存儲器,動態(tài)隨機存儲器的分類,動態(tài)隨機存儲器參數(shù)指標等
動態(tài)隨機存儲器(微量)存放中的每一位數(shù)據(jù)在分開電容器之內(nèi)集成電路. 因為真正的電容器漏充電，信息最終退色，除非周期性地刷新電容器充電。 因此刷新要求，它是a 動態(tài) 記憶與相對SRAM并且其他靜態(tài)記憶。
微量的好處是它的結(jié)構(gòu)樸素：僅一支晶體管和電容器每位在SRAM需要，與六支晶體管比較。這允許微量到達非常高 密度.象SRAM，它在類 易失性記憶 設(shè)備，因為它丟失它的數(shù)據(jù)，當(dāng)取消電源。然而不同于SRAM，數(shù)據(jù)也許在力量以后短時間仍然恢復(fù)。
1、隨機存取
所謂“隨機存取”，指的是當(dāng)存儲器中的消息被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問（Sequential Access）存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系（如磁帶）。
2、易失性
當(dāng)電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個長期的存儲設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會。
3、高訪問速度
現(xiàn)代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，取存延遲也和其他涉及機械運作的存儲設(shè)備相比，也顯得微不足道。
4、需要刷新
