模擬IC,模擬IC的分類,模擬IC參數(shù)指標(biāo)等
電路設(shè)計軟件及模型
– 電路圖繪制
– 電路仿真（驗證）
– SPICE MODEL（工藝）
版圖設(shè)計軟件及驗證文件
– 版圖繪制
– 設(shè)計規(guī)則檢查（DRC）
– 版圖-電路圖一致性檢查（LVS）
后仿真 – 寄生參數(shù)提�。‥xtract）
a、生命周期可長達10年。數(shù)字IC強調(diào)的是運算速度與成本比，數(shù)字IC設(shè)計的目標(biāo)是在盡量低的成本下達到目標(biāo)運算速度。設(shè)計者必須不斷采用更高效率的算法來處理數(shù)字信號，或者利用新工藝提高集成度降低成本。因此數(shù)字IC的生命周期很短，大約為1年-2年。
模擬IC強調(diào)的是高信噪比、低失真、低耗電、高可靠性和穩(wěn)定性。產(chǎn)品一旦達到設(shè)計目標(biāo)就具備長久的生命力，生命周期長達10年以上的模擬IC產(chǎn)品也不在少數(shù)。如音頻運算放大器NE5532，自上世紀(jì)70年代末推出直到現(xiàn)在還是最常用的音頻放大IC之一，幾乎50%的多媒體音箱都采用了NE5532，其生命周期超過25年。因為生命周期長，所以模擬IC的價格通常偏低。
b、工藝特殊少用CMOS工藝
數(shù)字IC多采用CMOS工藝，而模擬IC很少采用CMOS工藝。因為模擬IC通常要輸出高電壓或者大電流來驅(qū)動其他元件，而CMOS工藝的驅(qū)動能力很差。此外，模擬IC最關(guān)鍵的是低失真和高信噪比，這兩者都是在高電壓下比較容易做到的。而CMOS工藝主要用在5V以下的低電壓環(huán)境，并且持續(xù)朝低電壓方向發(fā)展。
因此，模擬IC早期使用Bipolar工藝，但是Bipolar工藝功耗大，因此又出現(xiàn)BiCMOS工藝，結(jié)合了Bipolar工藝和CMOS工藝兩者的優(yōu)點。另外還有CD工藝，將CMOS工藝和DMOS工藝結(jié)合在一起。而BCD工藝則是結(jié)合了Bipolar、CMOS、DMOS三種工藝的優(yōu)點。在高頻領(lǐng)域還有SiGe和GaAS工藝。這些特殊工藝需要晶圓代工廠的配合，同時也需要設(shè)計者加以熟悉，而數(shù)字IC設(shè)計者基本上不用考慮工藝問題。
c、與元器件關(guān)系緊密
模擬IC在整個線性工作區(qū)內(nèi)需要具備良好的電流放大特性、小電流特性、頻率特性等；在設(shè)計中因技術(shù)特性的需要，常常需要考慮元器件布局的對稱結(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)的彼此匹配形式；模擬IC還必須具備低噪音和低失真性能。電阻、電容、電感都會產(chǎn)生噪音或失真，設(shè)計者必須考慮到這些元器件的影響。
