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　　目前主要的非晶態(tài)半導體有兩大類。

　�、佟×蛳挡Ａ�。含硫族元素的非晶態(tài)半導體。例如As-Se、As-S，通常的制備方法是熔體冷卻或汽相沉積。

　�、凇∷拿骟w鍵非晶態(tài)半導體。如非晶Si、Ge、GaAs等,此類材料的非晶態(tài)不能用熔體冷卻的辦法來獲得,只能用薄膜淀積的辦法（如蒸發(fā)、濺射、輝光放電或化學汽相淀積等），只要襯底溫度足夠低，淀積的薄膜就是非晶態(tài)結構。四面體鍵非晶態(tài)半導體材料的性質，與制備的工藝方法和工藝條件密切相關。非晶硅的導電性質和光電導性質也與制備工藝密切相關。其實,硅烷輝光放電法制備的非晶硅中,含有大量H,有時又稱為非晶的硅氫合金;不同工藝條件,氫含量不同,直接影響到材料的性質。與此相反,硫系玻璃的性質與制備方法關系不大。