William B. Shockley,William B. Shockley簡介，生平，工作經(jīng)歷，主要成就
英文名：William Bradford Shockley（William Shockley）
中文名：威廉·肖克利
出生年月：1910年2月13日
國籍：美國
出生地：英國倫敦
教育背景：1936年，麻省理工（MIT）獲固體物理學(xué)博士學(xué)位
1932年，在加州理工學(xué)院獲學(xué)士學(xué)位
職業(yè)背景：1963年開始，擔(dān)任斯坦福大學(xué)教授
1955－1963年，在硅谷創(chuàng)辦肖克利半導(dǎo)體實驗室
1936－1955年，貝爾實驗室晶體管物理部主任
主要成就：發(fā)明晶體管，獲得了90多項發(fā)明專利
肖克利在英國倫敦出生，父母是美國人。他在加利福尼亞州長大并于1932年本科畢業(yè)于加州理工學(xué)院。1936年他獲得了麻省理工學(xué)院博士學(xué)位，其博士論文題目為計算氯化鈉晶體內(nèi)的電子密度函數(shù)。1936-1955年期間他在貝爾實驗室工作，曾任晶體管物理部主任。1938年獲第一個專利“電子倍增放電器”。1947年與他人合作發(fā)明了晶體管。1951年他成為美國國家科學(xué)院院士。
1955年，他在加州芒廷維尤創(chuàng)立了“肖克利實驗室股份有限公司”，聘用了很多年輕優(yōu)秀的人才。但很快肖克利個人的管理方法因其公司內(nèi)部不合，八名主要員工（八叛逆）于1957年集體跳槽成立了仙童半導(dǎo)體公司，后來開發(fā)了第一塊集成電路。而肖克利實驗室則每況愈下，兩次被轉(zhuǎn)賣后于1968年永久關(guān)閉。
肖克利于1963年開始任斯坦福大學(xué)教授。他在晚年認(rèn)為各種族的遺傳水準(zhǔn)有高有低，并支持鼓動智力低下者自愿絕育，因而在科學(xué)界和媒體界引起了爭議。他于1989年因前列腺癌去世。
