0.25微米嵌入式非易揮發(fā)性閃存技術(shù)(簡稱“EF250產(chǎn)品技術(shù)”)平臺是在華虹NEC0.25微米CMOS標準工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，嵌入了領(lǐng)先的非易揮發(fā)性閃存技術(shù)的特殊工藝制造平臺。該平臺能支持2.7V～5.5V寬電壓工作范圍，擴大了IC產(chǎn)品的使用范圍，在不增加產(chǎn)品制造成本的前提下，具有領(lǐng)先的抗靜電干擾能力，HBM（人體模式）達到8kV以上，電子**式達到6kV以上。嵌入式閃存技術(shù)在集成電路產(chǎn)品進入SoC的年代，為片上軟件提供了大容量可重復(fù)編程的程序
0.25微米嵌入式非易揮發(fā)性閃存技術(shù)(簡稱“EF250產(chǎn)品技術(shù)”)平臺是在華虹
NEC0.25微米C
MOS標準工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，嵌入了領(lǐng)先的非易揮發(fā)性閃存技術(shù)的特殊工藝制造平臺。
該平臺能支持2.7V～5.5V寬電壓工作范圍，擴大了
IC產(chǎn)品的使用范圍，在不增加產(chǎn)品制造成本的前提下，具有領(lǐng)先的抗靜電干擾能力，HBM（人體模式）達到8kV以上，
電子**式達到6kV以上。嵌入式閃存技術(shù)在集成電路產(chǎn)品進入
SoC的年代，為片上軟件提供了大容量可重復(fù)編程的程序存儲空間。該平臺擁有豐富的經(jīng)過流片驗證的各類核心
IP資料庫，客戶可以隨意組合而形成各種IC產(chǎn)品的IP整體解決方案。
SIM（用戶識別
模塊）卡產(chǎn)品在EF250產(chǎn)品技術(shù)平臺上的成功應(yīng)用就是一個典范。在SIM卡產(chǎn)品領(lǐng)域，華虹NEC率先采用閃存技術(shù)替代原來的
EEPROM（電可擦寫可編程只讀 存儲器）技術(shù)，不僅解決了數(shù)據(jù)存儲的次數(shù)技術(shù)難題，而且將數(shù)據(jù)的保存性能提高到遠超過EEPROM的技術(shù)水平，從而使SIM卡的儲存容量從原來的8K字節(jié)增加到現(xiàn)在的
256K字節(jié)，與此同時促使SIM卡產(chǎn)品的制造成本從原來的50元左右大幅降低到現(xiàn)在的3元～4元水平，不僅突破了國外產(chǎn)品的長期壟斷，而且還占據(jù)了國內(nèi)市場的最大份額。此外，基于EF250開發(fā)平臺，
TPM(可信賴平臺模塊)類安全芯片產(chǎn)品則在除采用大容量閃存IP外，還集成了華虹NEC開發(fā)的各類模擬IP，在國內(nèi)首次開發(fā)成功，打破了該產(chǎn)品的國外壟斷，為國內(nèi)PC的信息安全提供了技術(shù)保障。
點評
0.25微米
CMOS技術(shù)擁有較高的性價比，同時嵌入的閃存技術(shù)，又為SoC產(chǎn)品提供了廉價而且容量足夠大的程序存儲空間，滿足目前電子產(chǎn)品越來越短的升級周期和個性化靈活配置需求，因而擁有巨大的市場應(yīng)用空間。
0.162微米CMOS工藝技術(shù)
該工藝將主要用于制造
MP3播放器控制芯片、閃存控制器芯片、數(shù)字電視調(diào)制解調(diào)芯片，目標市場為中國的數(shù)字電視一體機、MP3播放器、閃存控制器等數(shù)字消費電子產(chǎn)品。
