改進(jìn)封裝技術(shù)提高HBLED光通量
毫無疑問，這個世界需要高亮度發(fā)光二極管（HBLED），不僅是高亮度的白光LED（HB WLED），也包括高亮度的各色LED，且從現(xiàn)在起的未來更是積極努力與需要超高亮度的LED（UHDLED）。
用LED背光取代手持裝置原有的EL背光、CCFL背光，不僅電路設(shè)計更簡潔容易，且有較高的抗外力性。用LED背光取代液晶電視原有的CCFL背光，不僅更環(huán)保而且顯示更逼真亮麗。用LED照明取代白光燈、鹵素?zé)?/b>等照明，不僅更光亮省電，使用也更長效，且點(diǎn)亮反應(yīng)更快，用于煞車燈時能減少后車追撞率。所以，LED從過去只能用在電子裝置的狀態(tài)指示燈，進(jìn)步到成為液晶顯示的背光，再擴(kuò)展到電子照明及公眾顯示，如車用燈、交通信號燈、信息廣告牌、大型影視墻，甚至是投影機(jī)內(nèi)的照明等，其應(yīng)用仍在持續(xù)延伸。更重要的是，LED的亮度效率就如同摩爾定律（Moore＇＇s Law）一樣，每24個月提升一倍，過去認(rèn)為白光LED只能用來取代過于耗電的白熾燈、鹵素?zé)�，即發(fā)光效率在10～30lm/W內(nèi)的層次，然而在白光LED突破60lm/W甚至達(dá)100lm/W后，就連熒光燈、高壓氣體放電燈等也開始感受到威脅。
雖然LED持續(xù)增強(qiáng)亮度及發(fā)光效率，但除了核心的熒光質(zhì)、混光等專利技術(shù)外，對封裝來說也將是愈來愈大的挑戰(zhàn)，且是雙重難題的挑戰(zhàn)，一方面封裝必須讓LED有最大的取光率、最高的光通量，使光折損降至最低，同時還要注重光的發(fā)散角度、光均性、與導(dǎo)光板的搭配性。另一方面，封裝必須讓LED有最佳的散熱性，特別是HB（高亮度）幾乎意味著HP（高功率、高用電），進(jìn)出LED的電流值持續(xù)在增大，倘若不能良好散熱，則不僅會使LED的亮度減弱，還會縮短LED的使用壽命。所以，持續(xù)追求高亮度的LED，其使用的封裝技術(shù)若沒有對應(yīng)的強(qiáng)化提升，那么高亮度表現(xiàn)也會因此打折，因此本文將針對HB LED的封裝技術(shù)進(jìn)行更多討論，包括光通方面的討論，也包括熱導(dǎo)方面的討論。
裸晶層：“量子井、多量子井”提升“光轉(zhuǎn)效率”
雖然本文主要在談?wù)揕ED封裝對光通量的強(qiáng)化，但在此也不得不先說明更深層核心的裸晶部分，畢竟裸晶結(jié)構(gòu)的改善也能使光通量大幅提升。首先是強(qiáng)化光轉(zhuǎn)效率，這也是最根源之道，現(xiàn)有LED的每瓦用電中，僅有15％～2％被轉(zhuǎn)化成光能，其余都被轉(zhuǎn)化成熱能并消散掉（廢熱），而提升此一轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)就在p-n接面（p-n junction）上，p-n接面是LED主要的發(fā)光發(fā)熱位置，透過p-n接面的結(jié)構(gòu)設(shè)計改變可提升轉(zhuǎn)化效率。目前多是在p-n接面上開鑿量子井（Quantum Well；QW），以此來提升用電轉(zhuǎn)換成光能的比例，更進(jìn)一步的也將朝更多的開鑿數(shù)來努力，即是多量子井（Multiple Quantum Well；MQW）技術(shù)。
