3D晶體管,3D晶體管的技術介紹，結構與性能，作用，產業(yè)影響
如下圖。傳統(tǒng)“平面的”2-D平面柵極被超級纖薄的、從硅基體垂直豎起的3-D硅鰭狀物所代替。電流控制是通過在鰭狀物三面的每一面安裝一個柵極而實現(xiàn)的（兩側和頂部各有一個柵極），而不是像2-D平面晶體管那樣，只在頂部有一個柵極。更多控制可以使晶體管在“開”的狀態(tài)下讓盡可能多的電流通過（高性能），而在“關”的狀態(tài)下盡可能讓電流接近零（即減少漏電，低能耗），同時還能在兩種狀態(tài)之間迅速切換，進一步實現(xiàn)更高性能。
就像摩天大樓通過向天空發(fā)展而使得城市規(guī)劃者優(yōu)化可用空間一樣，英特爾的3-D三柵極晶體管結構提供了一種管理晶體管密度的方式。由于這些鰭狀物本身是垂直的，晶體管也能更緊密地封裝起來--這是摩爾定律追求的技術和經濟效益的關鍵點所在。未來，設計師還可以不斷增加鰭狀物的高度，從而獲得更高的性能和能效。
其實早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術，一直處于試驗演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達到10億。
3D Tri-Gate晶體管架構能夠有效提高單位面積內的晶體管數(shù)量，使得非常適合輕薄著稱的移動設備， Tri-Gate晶體管機構技術的實現(xiàn)，使得單位面積內的晶體管數(shù)量得到極大的提高，以往芯片受限于面積限制而無法設計更高性能的產品將不會存在了。
3D Tri-Gate使用一個薄得不可思議的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極，形象地說就是從硅基底上站了起來。硅鰭片的三個面都安排了一個柵極，其中兩側各一個、頂面一個，用于輔助電流控制，而2-D二維晶體管只在頂部有一個。由于這些硅鰭片都是垂直的，晶體管可以更加緊密地靠在一起，從而大大提高晶體管密度。這種設計可以在晶體管開啟狀態(tài)(高性能負載)時通過盡可能多的電流，同時在晶體管關閉狀態(tài)(節(jié)能)將電流降至幾乎為零，而且能在兩種狀態(tài)之間極速切換。Intel還計劃今后繼續(xù)提高硅鰭片的高度，從而獲得更高的性能和效率。
