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半導體材料,半導體材料的發(fā)展歷程,特性,種類,制備,應用,現(xiàn)狀及趨勢等
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半導體材料,半導體材料的發(fā)展歷程,特性,種類,制備,應用,現(xiàn)狀及趨勢等  2011/10/3

目錄

  • 半導體材料的發(fā)展歷程
  • 半導體材料的特性
  • 半導體材料的種類
  • 半導體材料的制備
  • 半導體材料的應用
  • 常見的半導體材料現(xiàn)狀及趨勢
  • 半導體材料的戰(zhàn)略地位
半導體材料

半導體材料的發(fā)展歷程

  •   半導體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展,從使用到創(chuàng)新,擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初,就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年,氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用,是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成,成為半導體的研究成果的重大突破。50年代末,薄膜生長激素的開發(fā)和集成電路的發(fā)明,是的微電子技術得到進一步發(fā)展。60年代,砷化鎵材料制成半導體激光器,固溶體半導體此阿里奧在紅外線方面的研究發(fā)展,半導體材料的應用得到擴展。1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功,是的半導體器件的設計與制造從雜志工程發(fā)展到能帶工程,將半導體材料的研究和應用推向了一個新的領域。90年代以來隨著移動通信技術的飛速發(fā)展,砷化鎵和磷化煙等半導體材料成為焦點,用于制作高速高頻大功率激發(fā)光電子器件等;近些年,新型半導體材料的研究得到突破,以氮化鎵為代表的先進半導體材料開始體現(xiàn)出超強優(yōu)越性,被稱為IT產(chǎn)業(yè)的新發(fā)動機。

半導體材料的特性

  •   1、電阻率

      半導體材料是一種具有特殊導電性能的功能材料,其電阻率處于導體電阻率( 0.00001Ω.cm以下)和絕緣體電阻率(10000000000Ω.cm)之間。例如純硅(Si)材料的電阻率約為100000Ω.cm 。半導體材料的電阻率對其雜質含量、環(huán)境溫度、以及光照、電場、磁場、壓力等外界條件有非常高的靈敏性。

      2、能帶

      在孤立原子中的電子分別處在具有一定能量的電子軌道上。而在晶體中,原先在不同孤立原子中但具有相同能級的許多電子形成晶體時,由于量子效應,即 Pauli 原理的限制不能有兩個電子處于相同的狀態(tài),它們的能量必定彼此錯開,各自處在一個能量略有差異的一組子能級上,形成能帶。根據(jù)電子的能量分布,在某些能量范圍內是不許有電子存在的稱之為禁帶,即能帶之間的間隙。由價電子填充的能帶,稱之為價帶或滿帶。價帶以上的能帶基本上是空的,其中最低的允許電子存在的能帶稱為導帶。根據(jù)價帶與導帶的分布情況,可以獲得金屬、半導體和絕緣體。在一般情況下,半導體的導帶底有少量電子,價帶頂有少量空穴,半導體的導電就是依靠導帶底的少量電子或價帶頂?shù)纳倭靠昭ā?/FONT>

      3、滿帶電子不導電

      當價帶中存在一定的空穴和導帶中存在一定量的電子時,半導體材料才能導電。即,半導體材料的導電行為取決于價帶中的空穴和導帶中的電子。

      4、直接帶隙和間接帶隙

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