光控晶閘管,光控晶閘管的分類,光控晶閘管參數(shù)指標(biāo)等
七十年代未和八十年代初,主要在日本和美國許公司以直流輸電和不同頻率、不同電壓等級的聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用為目標(biāo)而發(fā)光觸發(fā)晶閘管，企圖以減少晶閘管閥的各種元器件和零部件來提高系統(tǒng)的可靠性。
l979年12月東京電力公司在日本北海道本州間支流聯(lián)網(wǎng)設(shè)備上已應(yīng)用光控晶閘管。
1985年日立公司已開發(fā)出4000v／3000A光控晶閘管，計劃用于直流輸電。
到八十年代后期 西歐的西門子、ABB公司．俄羅斯、還有中國也相繼開發(fā)、生產(chǎn)光控晶閘管．西安電力電子技術(shù)研究所由國家立項并資助，開發(fā)光控晶閘管并于88年通過國家組織的鑒定．但是由于光控晶閘管應(yīng)用的局限性和制造技術(shù)的難度，更重要的是LTT器件參數(shù)與HYDC閥應(yīng)用特性的固有矛盾，使光控晶閘管一直未能有突破性的發(fā)展，直至今日世界上僅有少數(shù)公司在生產(chǎn)。
通常晶閘管有三個電極：控制極G、陽極A和陰極C。而光控晶閘管由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極(陽極A和陰極C)。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成。
光控晶閘管的外形如圖（a）所示。其電路圖形符號如圖（b）所示。
