中國半導體器件型號命名方法
半導體器件
一、 中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。
P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F＜3MHz,Pc＜1W)、G-高頻小功率管（f＞3MHz,Pc＜1W)、D-低頻大功率管（f＜3MHz,Pc＞1W)、A-高頻大功率管（f＞3MHz,Pc＞1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用數(shù)字表示序號
第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號
例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
