安森美半導(dǎo)體推出便攜式應(yīng)用的MOSFET產(chǎn)品系列
安森美半導(dǎo)體為了滿足業(yè)界對更小型、更輕薄、更快速、更散熱及更可靠的便攜式應(yīng)用MOSFET器件的需求,推出便攜式應(yīng)用帶來領(lǐng)先效能與設(shè)計靈活度的新功率MOSFET產(chǎn)品µCool™系列,新推出的首六款µCool™器件采用強化散熱的超小型WDFN6封裝。
安森美半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品市場營銷總監(jiān)高天寶(Thibault Kassir)說: “我們設(shè)計µCool™產(chǎn)品系列的主要目的是解決便攜式設(shè)備,例如鋰離子電池充電電路、高、低電壓端負載開關(guān)以及同步升降壓電路中所面臨的獨特電源管理問題。這些新的µCool™器件只是一個開端,我們將陸續(xù)提供一系列采用我們最新溝槽式技術(shù)的產(chǎn)品,工作電壓范圍由8 V到30 V,并提供各種不同配置,包括單一、雙、FETKy、互補與集成型負載開關(guān)�！�
新推出的六款µCool™產(chǎn)品采用外露漏極DFN封裝技術(shù),可以在極小的4 mm2面積上取得卓越的熱阻(38oC/W)與額定功率 (1.9 W),額定持續(xù)功率比業(yè)界標準SD-88封裝提高了高達190%,比SD-70-6扁平引腳封裝提供高了130%。由功率的角度來看,采用WDFN6封裝的 µCool™器件能更有效益的使用便攜式應(yīng)用中寶貴的電路板空間。
器件：
• 20 V P-通道單NTLJS3113PT1G與雙NTLJD3115PT1G均經(jīng)優(yōu)化, 適用于鋰離子電池充電應(yīng)用,在4.5 V時導(dǎo)通電阻RDS(on)分別為42 mΩ與100mΩ,每10,000件的批量單價分別為0.30與0.31美元。
20 V P-通道FETKy® NTLJF3117PT1G (100 mΩ) 經(jīng)優(yōu)化,適用于將3 V到4 V電池電壓轉(zhuǎn)換為微處理器使用的1.1 V電壓應(yīng)用,每10,000件的批量單價為0.31美元。
30 V N-通道NTLJS4159NT1G(35 mΩ)與FETKy NTLJF4156NT1G (70 mΩ) 經(jīng)優(yōu)化,適用于如白光LED背光的同步升壓應(yīng)用,每10,000件的批量單價分別為0.29與0.30美元。
30 V N-通道雙NTLJD4116NT1G (70 mΩ) 經(jīng)優(yōu)化,適用于低電壓端開關(guān),例如照相機快門與閃光,每10,000件的批量單價為0.30美元。
雖然新推出的µCool™功率MOSFET系列擁有與標準SC-88和SC-70-6封裝相同的占位面積,但是安森美半導(dǎo)體的最新MOSFET產(chǎn)品提供了更多性能,它在底面露出一個可以做為漏極接點以及散熱路徑的連接面,強化后的散熱路徑能處理更高功率或在更低接點溫度工作。這些選擇在采用電池運作的設(shè)備上更為重要,因為更低的接點溫度也就代表了更低的導(dǎo)通電阻RDS(on) 或更少的功耗,也就是說可以延長電池的使用時間,而這正是手機、數(shù)字相機,便攜式游戲機、便攜式全球定位系統(tǒng)或任何采用電池運作的消費電子產(chǎn)品在考慮許多功耗問題時的一個極重要因素。
安森美半導(dǎo)體便攜式應(yīng)用MOSFET產(chǎn)品市場營銷經(jīng)理Tom Zemites說: “µCool™產(chǎn)品系列在便攜式產(chǎn)品應(yīng)用上不論是尺寸、熱阻及額定功率上的表現(xiàn)都相當優(yōu)異,尤其是與較大尺寸封裝,如Micro-8、TSOP-6 與ChipFET等比較時。我們?yōu)闃I(yè)界帶來了能夠讓設(shè)計工程師在不犧
