意法半導(dǎo)體推出新的STR910F系列產(chǎn)品
世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）率先在通用閃存微控制器系列產(chǎn)品內(nèi)集成以太網(wǎng)接口、ARM9E處理器核心和大容量嵌入式SRAM和閃存。新的STR910F系列為基于ARM的閃存微控制器確立了新的性價(jià)比和網(wǎng)絡(luò)接入標(biāo)準(zhǔn),為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員將功能強(qiáng)大的嵌入式控制應(yīng)用轉(zhuǎn)化成低成本的局域網(wǎng)（LAN）或互聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)帶來了許多新的機(jī)遇。
STR910F系列的設(shè)計(jì)目的是滿足市場(chǎng)對(duì)高性能嵌入式控制應(yīng)用的日益增長(zhǎng)的需求和實(shí)現(xiàn)以太網(wǎng)接入功能。這些芯片是ST對(duì)取得成功的STR7XX系列ARM7TDMI微控制器的自然擴(kuò)展。收款機(jī)終端及外設(shè)、售貨機(jī)、工控機(jī)及工廠自動(dòng)化、串行協(xié)議網(wǎng)關(guān)、樓宇自動(dòng)化、安全監(jiān)控和手持儀表等應(yīng)用日益需要更高的性能和聯(lián)網(wǎng)功能。此外,這些應(yīng)用設(shè)備還需要容量更大的程序/數(shù)據(jù)閃存,特別是SRAM存儲(chǔ)器。
STR910F產(chǎn)品采用了比ARM7TDMI更先進(jìn)的ARM966E-STM核心。RM966E-STMCPU分別使用兩條內(nèi)部總線來存取指令存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,從而能夠同步進(jìn)行代碼和數(shù)據(jù)的存取操作。每個(gè)內(nèi)存都通過一個(gè)高度優(yōu)化的緊耦合接口（TCM）連接CPU,存取速度非�？臁TR910F充分利用這種架構(gòu)的優(yōu)勢(shì),在指令TCM接口上連接一個(gè)高速脈沖串式閃存,在數(shù)據(jù)TCM接口連接一個(gè)零延時(shí)SRAM存儲(chǔ)器。這樣設(shè)計(jì)的結(jié)果是,在96 MHz（通用閃存ARM式微控制器的最高性能）下,最高代碼執(zhí)行速度高達(dá)96 MIPS,數(shù)據(jù)在CPU核心和SRAM之間的傳遞效率非常高。相比之下,ARM7TDMI CPU核心用一條總線存取指令內(nèi)存和數(shù)據(jù)內(nèi)存,因此同時(shí)存取這兩個(gè)存儲(chǔ)器是不可能的。此外,ARM966E-STM 核心支持單循環(huán)數(shù)字信號(hào)處理（DSP）指令,使STR910F能夠同時(shí)滿足控制和信號(hào)處理兩種要求,其優(yōu)勢(shì)明顯高于DSP和控制處理器分立的傳統(tǒng)解決方案。ARM966E-STM的所有優(yōu)勢(shì)使STR910F系列產(chǎn)品處于內(nèi)置閃存的32位微控制器的高端市場(chǎng)。.
ARM9E傳統(tǒng)上被用于設(shè)計(jì)無ROM的微處理器,這類處理器的存儲(chǔ)器管理單元(MMU)非常復(fù)雜,需要內(nèi)部高速緩存和外部同步RAM與之配合,所有代碼需要在啟動(dòng)階段從一個(gè)外接閃存載入內(nèi)存。然而,STR910F無需傳統(tǒng)的高速緩存和外部存儲(chǔ)器就可引入ARM9E核心的很多優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)一個(gè)尺寸緊湊的單片閃存微控制器。STR910F利用一個(gè)高速緩存代替MMU,其支持的單存儲(chǔ)器模型非常適合實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)（RTSO）。它采用一個(gè)含有預(yù)取隊(duì)列和分支緩存系統(tǒng)的創(chuàng)新的存儲(chǔ)器加速器,以便在從脈沖串閃存開始的非順序代碼執(zhí)行的期間提高系統(tǒng)性能,同時(shí)實(shí)時(shí)控制特性優(yōu)于傳統(tǒng)的高速緩存。
STR910F被嵌入大容量的存儲(chǔ)器,以支持RTOS和TCP/IP協(xié)議棧,以及復(fù)雜的控制應(yīng)用。 的SRAM容量高達(dá)96KB,是目前內(nèi)置閃存的ARM通用微控制器市場(chǎng)上容量最大的SRAM,這個(gè)容量非常適合速度更快的串行通信的大數(shù)據(jù)包緩存應(yīng)用。與眾不同的是,新IC通過一個(gè)電池
