ISSCC會(huì)議文件論述SRAM將有望使電池供電產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)超低功耗日前,麻省理工學(xué)院(MIT)的研究員將在著名的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上展示一款采用德州儀器(TI)先進(jìn)65納米CMOS工藝制造的超低功耗(ULP)256kb靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)測(cè)試器件。該款SRAM專為要求高性能、低功耗的電池供電設(shè)備開(kāi)發(fā)而成,能夠提供業(yè)界最低的電壓,而且設(shè)計(jì)人員正在考慮為該產(chǎn)品采用TI的SmartReflex™電源管理技術(shù)來(lái)延長(zhǎng)移動(dòng)產(chǎn)品的電池使用壽命。與0.6V的6T
ISSCC 會(huì)議文件論述 SRAM 將有望使
電池供電產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)超低功耗
日前,麻省理工學(xué)院 (
MIT) 的研究員將在著名的國(guó)際
固態(tài)電路會(huì)議 (ISSCC) 上展示一款采用德州儀器 (
TI) 先進(jìn) 65 納米
CMOS 工藝制造的超低功耗 (ULP)
256kb 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 測(cè)試器件。該款 SRAM 專為要求高性能、低功耗的電池供電設(shè)備開(kāi)發(fā)而成,能夠提供業(yè)界最低的電壓,而且設(shè)計(jì)人員正在考慮為該產(chǎn)品采用 TI 的 SmartReflex™
電源管理技術(shù)來(lái)延長(zhǎng)移動(dòng)產(chǎn)品的電池使用壽命。
與 0.6 V 的 6T 對(duì)應(yīng)產(chǎn)品相比,0.4 V 亞閾值的 SRAM的泄漏
功率降低了 2.25 倍。256kb SRAM 利用 TI 65 納米工藝實(shí)現(xiàn)了更小巧的外形,每個(gè)位單元 (bitcell) 包含 10 顆晶體管,使工作電壓能夠降至
400mV。
MIT 的 Anantha P. Chandrakasan 教授指出：“超低功耗工作對(duì)許多新興商業(yè)和軍事應(yīng)用而言都是至關(guān)重要的。MIT 研究生利用 TI 與 DARPA 的資金開(kāi)發(fā)出了采用 65 納米CMOS 工藝的超低電壓邏輯與存儲(chǔ)器電路,工作電壓低于
400mV。供電電壓能降到如此低的水平,這對(duì)期望能耗最低的應(yīng)用至關(guān)重要,同時(shí)能實(shí)現(xiàn)超動(dòng)態(tài)的電壓縮放 (U-DVS)。ULP 技術(shù)的目的就是大幅降低功耗,同時(shí)盡可能減小對(duì)系統(tǒng)性能的影響�！�
MIT 的亞閾值電路研究組
SRAM 開(kāi)發(fā)是針對(duì)電池供電設(shè)備推出超低功耗 (ULP) 邏輯和存儲(chǔ)器計(jì)劃的一部分,建立在 TI 與 MIT 多年合作的基礎(chǔ)之上,并由美國(guó)國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局 (DARPA) 提供部分資金。該合作項(xiàng)目致力于節(jié)約有限電力,使電壓降至亞閾值,并確保實(shí)現(xiàn)超低功耗與高性能。此外,開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)器
模塊和邏輯與
開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 等
其它功能也屬于該項(xiàng)目范圍。
MIT 的工作包括分析給定系統(tǒng)的最小功耗點(diǎn),根據(jù)亞閾值電路的功耗特點(diǎn)進(jìn)行建模,以及電路類型與架構(gòu)的開(kāi)發(fā)等。MIT 以新興應(yīng)用為重點(diǎn)研究對(duì)象,因?yàn)槟茉葱实闹匾詫?duì)這些應(yīng)用來(lái)說(shuō)大大超過(guò)了傳統(tǒng)的速度需求。
擴(kuò)展 SmartReflex™ 技術(shù)
MIT 與 TI 聯(lián)合開(kāi)發(fā)的 SRAM 器件建立在 TI 先進(jìn)的 65 納米工藝基礎(chǔ)之上,其集成的
多種技術(shù)能夠充分滿足業(yè)界日益增長(zhǎng)的低功耗要求。多媒體及其他高級(jí)功能對(duì)處理能力的要求不斷提高,同時(shí)逐步降低功耗并控制散熱也變得至關(guān)重要,這對(duì)無(wú)線應(yīng)用而言尤為如此。TI 解決方案是 SmartReflex™ 動(dòng)態(tài)電源管理技術(shù),這種技術(shù)可根據(jù)用戶需求自動(dòng)調(diào)節(jié)電源電壓,從
