日立(HitachiLtd.)與瑞薩科技(RenesasTechnology)日前發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程。與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比,每個(gè)單元的功耗降低了50%。據(jù)介紹,相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器,新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫(xiě)能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,這些原型可在下一代微控制器中為諸如信息設(shè)備、家用
日立(
Hitachi Ltd.)與瑞薩科技(Renesas Technology)日前發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在
電源電壓為1.5V和
電流低至
100μA的條件下進(jìn)行編程。與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比,每個(gè)單元的功耗降低了50%。
據(jù)介紹,相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器,新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫(xiě)能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此,這些原型可在下一代微控制器中為諸如信息設(shè)備、家用電器,以及車(chē)載設(shè)備和控制系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用的片上編程和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)提供一種頗具前途的解決方案。
該原型單元采用130nm C
MOS工藝制造,其結(jié)構(gòu)采用了MOS晶體管和一層在熱響應(yīng)中呈非晶體狀態(tài)(高阻抗)或晶狀(低阻抗)的相位轉(zhuǎn)換薄膜。兩種狀態(tài)的編程通過(guò)180nm直徑的鎢下電極接點(diǎn)(BEC)實(shí)現(xiàn)。在一次讀操作中,存儲(chǔ)的數(shù)字(1或0)信息是由薄膜中電流流動(dòng)量的差別決定的。
