英飛凌科技股份公司近日宣布推出一款先進的硬盤驅(qū)動器讀取信道內(nèi)核,這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司共同開發(fā),是適用于下一代硬盤驅(qū)動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑�！暗谝环N采用90納米工藝技術(shù)的讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品的開發(fā),使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產(chǎn)品,以滿足硬盤驅(qū)動器市場不斷增長的需求,”英飛凌管理董事會成員兼汽車與工業(yè)電子事業(yè)部負責
英飛凌科技股份公司近日宣布推出一款先進的硬盤驅(qū)動器讀取信道內(nèi)核,這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和
日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司共同開發(fā),是適用于下一代硬盤驅(qū)動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。
“第一種采用90納米工藝技術(shù)的讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品的開發(fā),使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產(chǎn)品,以滿足硬盤驅(qū)動器市場不斷增長的需求,”英飛凌管理董事會成員兼汽車與工業(yè)
電子事業(yè)部負責人Peter Bauer指出,“我們對市場的承諾和立足點基于廣泛的專利組合（
IP Portfolio）,我們的專利組合包括低能耗和先進的片上系統(tǒng)（
SOC）設計技術(shù),以及對硬盤驅(qū)動器行業(yè)日益重要的技術(shù),例如非易失性存儲器和安全芯片卡解決方案等等�！�
英飛凌副總裁兼專用集成電路和設計解決方案事業(yè)部（
ADS）總經(jīng)理Sandro Cerato說：“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核,使硬盤驅(qū)動器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求,包括更高的數(shù)據(jù)率、更低的能耗和更小的晶片面積,從而能夠以更具競爭力的成本推出更高級的片上系統(tǒng)（SOC）解決方案。首例經(jīng)過測試的內(nèi)核芯片,鎖相環(huán)路(
PLL)能夠達到3.6GHz的速度,而模擬前端信號通道可以實現(xiàn)高達2.7Gb/s的數(shù)據(jù)率。和采用130納米工藝的先進讀取信道相比,性能提高約50%�！�
市場分析公司Gartner Dataquest于2005年8月發(fā)表的研究報告表明,在移動和臺式設置應用的推動下,全球硬盤驅(qū)動器產(chǎn)品市場規(guī)模預計將從2005年的
33億美元增長到2009年的45億美元,增幅近30%。
“這種讀取信道技術(shù)的成功開發(fā),進一步證明了日立存儲和英飛凌科技的創(chuàng)新能力和設計專長,”日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司高級董事兼明尼蘇達羅徹斯特（Rochester）設計中心主任Steven Smith指出,“英飛凌展示了其在芯片開發(fā)和集成方面的領先地位,我們對第一種采用90納米工藝制造的讀取信道產(chǎn)品的性能感到非常滿意。”
新一代讀取信道技術(shù)可以支持一些高級的功能,如垂直錄寫,并利用第二代反向并聯(lián)編碼技術(shù)來大幅提高存儲密度,實現(xiàn)更佳的信噪比（
SNR）性能。
英飛凌的90納米讀取信道內(nèi)核立足于一個通用架構(gòu),適用于所有硬盤驅(qū)動器細分市場（如企業(yè)級、臺式、移動和超低功耗應用等）。按照每個細分市場的特定目標參數(shù)進行定制化設計,能夠滿足不同硬盤驅(qū)動器平臺的要求。
目前英飛凌正在開發(fā)另一種讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品,用于
電池供電設備,旨在實現(xiàn)極低的功耗。由于采用了能夠支持
手機等便攜產(chǎn)品的英飛凌90納米工藝,這種產(chǎn)品還能實現(xiàn)超長的待機時間和更佳的泄漏
電流表現(xiàn)。
英飛凌采用其90納米
CMOS工藝制造的全新讀寫信道內(nèi)核,在單一芯片上融合了高性能、低能耗和模擬器件支持能力,可以滿足不同應用的需要。英飛凌先進的工藝和設計體系,能夠讓設計商以經(jīng)濟合算的方式對單一芯片上的混合信號和數(shù)字信號處理（
DSP）進行針對性優(yōu)化,從而滿足從高性能企業(yè)級服務器到低功耗便攜式消費電子產(chǎn)品等各種應用的需求。90納米CMOS工藝的主要優(yōu)勢是,利用先進的節(jié)能概念,
