MagnaChipSemiconductor,Ltd.和研諾邏輯科技有限公司宣布,MagnaChip已在其位于韓國的先進(jìn)的200-mm亞微米制造廠中采用了研諾邏輯專有的0.35微米多電壓混合信號ModularBCD制程技術(shù)。研諾邏輯將采用由MagnaChip大批量晶圓制造廠所生產(chǎn)的ModularBCD晶圓來制造其新一代功率管理集成電路(IC)。預(yù)計(jì)將于2006年第一季度開始批量生產(chǎn)。ModularBCD設(shè)備具有更高的效率、更小的尺寸、新增的功能以及相比當(dāng)前解決方案更高的整合水平,該設(shè)備旨在
MagnaChip Sem
iconductor, Ltd.和研諾邏輯科技有限公司宣布,MagnaChip 已在其位于韓國的先進(jìn)的
200-mm 亞微米制造廠中采用了研諾邏輯專有的0.35微米多電壓混合信號 ModularBCD 制程技術(shù)。
研諾邏輯將采用由 MagnaChip 大批量晶圓制造廠所生產(chǎn)的 ModularBCD 晶圓來制造其新一代
功率管理集成電路 (IC)。預(yù)計(jì)將于2006年第一季度開始批量生產(chǎn)。ModularBCD 設(shè)備具有更高的效率、更小的尺寸、新增的功能以及相比當(dāng)前解決方案更高的整合水平,該設(shè)備旨在為諸如
手機(jī)、便攜式媒體播放器、平板式和膝上型電腦以及數(shù)碼相機(jī)等移動消費(fèi)電子產(chǎn)品管理功率和延長
電池壽命。
ModularBCD 沒有采用老化的線性集成電路式傳統(tǒng)晶圓制程或一般的
CMOS（互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體）代工制程,而是率先代表了新一代的模擬、功率、混合信號 IC 技術(shù),這些技術(shù)是特別為高科技晶圓制程而開發(fā)的,而且十分適用于 ex-DRAM 晶圓廠的生產(chǎn)。通過在單個(gè)芯片上以 3V、5V 和
12V 電壓將完全獨(dú)立的 CMOS 與高速互補(bǔ)雙極晶體管以及強(qiáng)大的 30V DMOS 功率設(shè)備地整合起來（無需磊晶或高溫?cái)U(kuò)散等昂貴的制程）,單芯片混合信號和系統(tǒng) IC 在技術(shù)和經(jīng)濟(jì)層面都成為可能。因此,ModularBCD IC 產(chǎn)品受益于高度整合性、改善的噪聲抗擾性和改進(jìn)的電路再用性。
MagnaChip 將生產(chǎn) ModularBCD 晶圓
除了向研諾邏輯提供生產(chǎn)服務(wù)之外,MagnaChip 還獲得特許生產(chǎn)ModularBCD 晶圓以
供應(yīng)那些不直接與研諾邏輯的功率管理設(shè)備競爭的產(chǎn)品�？赡苁芤嬗� ModularBCD 技術(shù)的應(yīng)用產(chǎn)品包括電機(jī)驅(qū)動器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、線路驅(qū)動器、顯示驅(qū)動器、汽車 IC、機(jī)電產(chǎn)品、模擬 IC 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品以及各種混合信號應(yīng)用產(chǎn)品。此項(xiàng)創(chuàng)新的制程技術(shù)有助于 MagnaChip 更加有效地利用早先用于生產(chǎn)復(fù)雜的高密度動態(tài)隨機(jī)存儲器 (DRAM) 的現(xiàn)有設(shè)備。
