三星新開發(fā)出70nmDDR2SDRam芯片
韓國電子巨頭三星電子公司日前宣稱,他們開發(fā)研制出了全球第一款使用70nm工藝生產(chǎn)的512Mb DDR2
SDRam存儲芯片,這也是目前存儲芯片制造領(lǐng)域內(nèi)的最精細(xì)的微處理技術(shù)。
三星電子稱,采用70nm工藝生產(chǎn)的512Mb DDR2 SDRam存儲芯片,是當(dāng)前80nm 和 90nm處理工藝的延續(xù)。但目前采用70nm處理工藝的每個晶圓上的芯片數(shù)量至少要比采用90nm工藝所包含的芯片數(shù)量多出一倍。新的生產(chǎn)工藝采用了三星的金屬絕緣層金屬(Metal-Insulator-Metal,MIM)技術(shù)以及被稱為“三維晶體管技術(shù)——凹道排列晶體管(recess channel array transistor,RCAT)”3D構(gòu)架技術(shù)。
這些技術(shù)的采用確保了70nm 512Mb DRam芯片克服了DRam體積大的缺點以及提高了數(shù)據(jù)的更新恢復(fù)功能,70nm 工藝技術(shù)是繼三星2002年首次推出sub-micron處理技術(shù)和2003年推出80nm處理工藝后,再次在存儲技術(shù)上取得的新突破。
三星公司稱,預(yù)計在2006年的下半年,推出采用70nm 工藝生產(chǎn)的容量分別為512Mb、1Gb和2Gb的存儲產(chǎn)品。
市場調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner Dataquest之前發(fā)表的一份調(diào)查報告中稱,今年全球DRam芯片市場的收入在262億美元左右,而到2008年,全球DRam芯片市場的收入將291億美元。工藝生產(chǎn)的512Mb DDR2 SDRam存儲芯片,是當(dāng)前80nm 和 90nm處理工藝的延續(xù)。但目前采用70nm處理工藝的每個晶圓上的芯片數(shù)量至少要比采用90nm工藝所包含的芯片數(shù)量多出一倍。
新的生產(chǎn)工藝采用了三星的金屬絕緣層金屬(Metal-Insulator-Metal,MIM)技術(shù)以及被稱為“三維晶體管技術(shù)——凹道排列晶體管(recess channel array transistor,RCAT)”3D構(gòu)架技術(shù)。
這些技術(shù)的采用確保了70nm 512Mb DRam芯片克服了DRam體積大的缺點以及提高了數(shù)據(jù)的更新恢復(fù)功能,70nm 工藝技術(shù)是繼三星2002年首次推出sub-micron處理技術(shù)和2003年推出80nm處理工藝后,再次在存儲技術(shù)上取得的新突破。
三星公司稱,預(yù)計在2006年的下半年,推出采用70nm 工藝生產(chǎn)的容量分別為512Mb、1Gb和2Gb的存儲產(chǎn)品。市場調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner Dataquest之前發(fā)表的一份調(diào)查報告中稱,今年全球DRam芯片市場的收入在262億美元左右,而到2008年,全球DRam芯片市場的收入將291億美元。
