系統(tǒng)級封裝使用的硅基板
近年來,便攜式發(fā)展和系統(tǒng)小型化的趨勢,要求芯片上集成更多不同類型的元器件,如RFIC、各類無源元件、光機(jī)電器件、天線、連接器和傳感器等。單一材料和標(biāo)準(zhǔn)工藝的SoC受到了限制,在其基礎(chǔ)上,快速發(fā)展的系統(tǒng)級封裝（SiP）在一個封裝內(nèi)不僅可以組裝多個芯片,還可以將上述不同類型的器件和電路芯片疊在一起,構(gòu)建成更為復(fù)雜的、完整的系統(tǒng)。
SiP技術(shù)的優(yōu)越性包括：可提供更多新功能,多種工藝兼容性好,靈活性和適應(yīng)性強(qiáng),成本低,易于分塊測試,以及開發(fā)周期較短等。SiP采用近十年來快速發(fā)展的倒裝焊技術(shù),與引線鍵合相比,倒裝焊技術(shù)具有直流壓降低、互連密度高、寄生電感小、熱特性和電學(xué)性能好等優(yōu)點(diǎn),但費(fèi)用較高。
SiP的另一大優(yōu)點(diǎn)是可以集成各種無源元件。無源元件在集成電路中的用量日益增加,例如,在手機(jī)中無源元件和有源器件之比約為50:1。采用近年來發(fā)展的低溫共燒多層陶瓷（LTCC）和低溫共燒鐵氧體（LTCF）技術(shù),即在多層陶瓷內(nèi)集成電阻、電容、電感、濾波器和諧振器等無源元件,就如同在硅片中集成有源器件一樣。
系統(tǒng)級模塊封裝
硅是一種可作為幾乎所有半導(dǎo)體器件和集成電路基板的材料。單晶硅具有平滑研磨面,在150μm跨度內(nèi),平整度為60μm。硅作為基板材料,引人注目的綜合性能是熱導(dǎo)率高、成本低、化學(xué)惰性和不透水性好、理想的機(jī)械性能、良好的一致性和可控性。硅基板的主要優(yōu)點(diǎn)包括：和IC芯片的熱膨脹匹配良好;較高的熱導(dǎo)率,在85～135W/(K·m)之間;通過熱氧化硅,表面形成二氧化硅,將隔離電容成批制作,并集成在硅基板中,從而使互連數(shù)量減少,改善了可靠性;電阻和有源器件也可在硅中單獨(dú)制作;通過高摻雜（高導(dǎo)電性硅基板）,硅基板可以起接地層的作用,免去金屬化;硅易于用鋁或其他金屬進(jìn)行金屬化,在個別情況下,必須粘接媒介材料。但是,硅基板也有以下缺點(diǎn)：硅材料的機(jī)械強(qiáng)度低,加工時要倍加小心,以免開裂或損壞;它的抗彎強(qiáng)度比氧化鋁低,在淀積厚的介質(zhì)層和金屬化層后產(chǎn)生較大的彎曲和翹曲。
近些年,硅封裝基板已被用來提高系統(tǒng)級封裝應(yīng)用方面的互連密度。STATS ChipPAC公司適合于其無源元件和IC集成化的芯片級模塊封裝（CSMP）就是在SiP應(yīng)用中采用硅作為基板材料的一個實(shí)例。
該公司使用薄膜技術(shù)在硅基板上制造集成化無源元件（IPD）。把一個或多個芯片粘貼到有IPD基板的倒裝片上,接著進(jìn)行封裝,要
