先進的MRAM技術(shù)受到IBM公司和英飛凌公司研究人員青睞
IBM公司 和英飛凌技術(shù) (Infineon Technologies) 公司將磁存儲器元件集成到高性能邏輯基中,開發(fā)出他們所聲稱的"迄今最先進的磁性隨機存取存儲器技術(shù)（MRAM）。"
兩家公司相信,該開發(fā)成果將加速MRAM的商品化,并有可能在早至2005年取代當今某些存儲器技術(shù)。MRAM能導(dǎo)致"即時開啟"的計算機問世,從而使用戶能像電燈開關(guān)那樣快速地開啟和關(guān)閉計算機。
這種高速128kb MRAM芯核采用0.18微米基于邏輯的加工工藝制造,據(jù)說是迄今報道的MRAM所用的最小線寬。這種很小的邏輯基能讓IBM 公司和英飛凌公司采用1.4平方微米這一最小的MRAM存儲單元尺寸,而1.4平方微米大約是平常鉛筆橡皮頭的2000萬分之一。通過在這種小存儲單元內(nèi)精確地裝配這種磁性結(jié)構(gòu),IBM 公司和英飛凌公司的研究人員就能控制存儲器的讀寫操作。
MRAM是一種采用磁性載荷,而不是電子載荷來存儲數(shù)據(jù)位的存儲器技術(shù)。它與當前使用的電子存儲器相比,能存儲更多的信息,存取速度更快,耗電更少,從而能大大改進便攜式計算產(chǎn)品的性能
。MRAM兼有當今常用存儲器技術(shù)的某些最佳特性,即DRAM 的存儲容量和低成本,SRAM的高速度,閃存的非易失性。因為MRAM能夠在關(guān)閉電源后保存信息,因此使用MRAM的個人計算機等產(chǎn)品就能立刻啟動,而不需等待軟件來"引導(dǎo)"。
