SEZ攜手AIRLIQUIDE開發(fā)用于高級金屬柵極材料的蝕刻解決方案
業(yè)界領(lǐng)先者們深入研究適用于單晶圓工藝的化學(xué)制劑,
賦予了深亞微米應(yīng)用中最理想的性能和擁有成本
奧地利VILLACH（維拉赫）和法國巴黎—2005年7月11日訊－業(yè)界領(lǐng)先服務(wù)于半導(dǎo)體行業(yè)的單晶圓清洗解決方案首要創(chuàng)新者SEZ（瑟思）集團(瑞士股票交易市場SWX代碼：SEZN)和業(yè)界領(lǐng)先的工業(yè)和醫(yī)療氣體及相關(guān)服務(wù)的供應(yīng)商Air Liquide（液化空氣公司,Euronext Paris證券交易所上市）于今日聯(lián)合宣布,雙方將通力合作,攜手解決生產(chǎn)線前段（FEOL）的先進金屬柵極蝕刻所面臨的化學(xué)制劑的挑戰(zhàn)。45納米技術(shù)標準下的高k值門極絕緣體和高級金屬柵極的電極預(yù)計會帶來許多的制程挑戰(zhàn),包括去除不需要的含有金屬電極材料的背面和倒角邊沉積膜層。受到與領(lǐng)先的原子層沉積（ALD）公司Aviza Technology彼此獨立但又互補的合作開發(fā)項目的推動,SEZ和Air Liquide將尋求合作共同開發(fā)一種全面、多元的高級蝕刻材料的解決方案,確保芯片制造商們以最低的擁有成本（CoO）獲得最好的性能。
Air Liquide電子副總裁Christophe Fontaine表示：“我們期待與SEZ齊心協(xié)力攜手應(yīng)對正在不斷涌現(xiàn)的制程挑戰(zhàn),開發(fā)出新的化學(xué)制劑以恰當?shù)臐M足當前的以及未來發(fā)展的技術(shù)需求。兩個公司都能夠在這個合作項目發(fā)揮獨特、互補的技術(shù)優(yōu)勢。Air Liquide在ALOHA產(chǎn)品線內(nèi)擁有開發(fā)一種具有選擇性的蝕刻劑的專家技術(shù),并且可以將該技術(shù)成功推向市場。而同時SEZ在晶圓背面處理方面的技術(shù)無可匹敵。”
原子層沉積（ALD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)的一個副作用是膜層材料會沉積到晶圓的背面。這些膜層產(chǎn)生的污染物可能通過共用的晶圓傳送過程被傳遞到其它的晶圓上,而且膜層自身也有可能分裂成層或剝落,變成很嚴重的微塵粒子問題。因此,必須將背面和倒角邊上的任何一種膜層材料都去除。但目前面臨的問題是這些材料中有很多難以進行濕式蝕刻,特別是在需要對下層的材料層進行某種選擇性的蝕刻時。
由于不能選擇對背面和倒角邊進行干式蝕刻,因此必須開發(fā)出適用的濕式蝕刻解決方案。為了保護器件,晶圓正面和背面需要互相隔離,所以最好的濕式蝕刻解決方案是采用使用一種有效的制程化學(xué)制劑的單晶圓旋轉(zhuǎn)處理機臺。例如,盡管將釕金屬作為高級金屬柵極材料的業(yè)內(nèi)呼聲很高,但是由于其固有的屬性之一是其對化學(xué)品的侵蝕的抵抗力很強,因此,釕金屬的清除就成為一項嚴峻的挑戰(zhàn)。
通過將SEZ在單晶圓濕式表面處理和膜層剝離的先進的專家技術(shù)與
