SMDLEDsurface-mount device LED。表面粘著型LED。
LED Light Emitting Diode。發(fā)光二極管。
紅外線發(fā)光二極管 紅外線Light Emitting Diode。
GaP 磷化鎵。
GaN 氮化鎵。
AlInGaP 磷化鋁銦鎵。
AlGaAs 砷化鋁鎵。
反向粘著型薄芯片LED reverse mounting type 薄芯片LED。
側(cè)面發(fā)光直角LED
直角表面粘著型LED燈泡 SIDELED。
可見光LED 可見光Light Emitting Diode。
不可見光LED 不可見光Light Emitting Diode。
GaN LED 氮化鎵發(fā)光二極管。
UV LED紫外線二極管
可見光:有紅、橙、黃、綠、藍、紫等各種顏色,主要以顯示用 途為主。又以亮度1燭光 (cd) 作為一般亮度和高亮度之分界點。一般亮度LED廣泛應用于各種室內(nèi)顯示用途;高亮度LED則適合于戶外顯示,如:汽車第三煞車燈、戶外信息看板和交通號志 等。 不可見光:短波長紅外光可作為紅外線無線通訊使用;長波長紅外光則使用在中、短距離光纖通訊上,作為光通訊用光源。
MOCVD金屬有機物化學氣相淀積(Metal- OrganicChemicalVaporDeposition,簡稱 MOCVD), 1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多 學科為一體,是一種自動化程度高、價格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備,主要用于GaN(氮化鎵)系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發(fā)光 二極管芯片的制造,也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。