NOVELLUS（諾發(fā)公司）推出用于65納米及更窄工藝節(jié)點(diǎn)的氮化鎢/鎢淀積系統(tǒng)
諾發(fā)系統(tǒng)有限公司（納斯達(dá)克股票市場(chǎng)Nasdaq代號(hào)：NVLS）是全球半導(dǎo)體行業(yè)在高級(jí)淀積、表面處理和化學(xué)機(jī)械平坦化工藝等領(lǐng)域的生產(chǎn)力和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)。該公司今天宣布推出用于65納米及更窄工藝節(jié)點(diǎn)填充接觸和通路的ALTUS DirectFill單系統(tǒng)解決方案。DirectFill系統(tǒng)采用諾發(fā)公司久經(jīng)考驗(yàn)的ALTUS平臺(tái),不再需要傳統(tǒng)的鈦/氮化鈦(Ti/TiN)淀積設(shè)備。與現(xiàn)有的工藝相比,這項(xiàng)先進(jìn)的接觸和通路填充工藝可以將接觸電阻和總體擁有成本降低50%以上。
諾發(fā)公司的ALTUS DirectFill解決方案用單一的系統(tǒng)取代標(biāo)準(zhǔn)的多設(shè)備Ti/TiN/W工藝,簡(jiǎn)化了鎢淀積工藝過(guò)程。這一系統(tǒng)將先進(jìn)的預(yù)清潔工藝整合在一個(gè)工藝模塊內(nèi),隨后的模塊整合了諾發(fā)公司的PNL™氮化鎢(WN)淀積專利技術(shù),而在第三個(gè)模塊內(nèi)則將PNL和鎢化學(xué)氣相淀積工藝整合在內(nèi)。這些采用氮化鎢和鎢的多功能序列淀積工藝模塊有助于提高產(chǎn)能和工藝復(fù)用率。
ALTUS DirectFill技術(shù)在技術(shù)上有幾個(gè)重要優(yōu)勢(shì)。首先,氮化鎢阻隔層顯示出原子級(jí)淀積(ALD)均勻性,而且比它所取代的Ti/TiN阻隔層要薄得多,這樣就可以用電阻率較低的鎢來(lái)填充大部分的電接觸。在45納米工藝節(jié)點(diǎn)這一級(jí)工藝,氮化鎢/低電阻率鎢DirectFill工藝可將接觸電阻降低50%以上。此外,PNL氮化鎢可以提供優(yōu)秀的阻隔層特性,并能與各種介電材料很好地粘附。所有的工藝溫度都在400°C以下,可很好地滿足將來(lái)的工藝集成要求。與其它公司類似系統(tǒng)不同的是,ALTUS DirectFill技術(shù)在不提高電阻率的情況下,很好地解決了更窄工藝節(jié)點(diǎn)的接觸填充問(wèn)題。
諾發(fā)公司鎢事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Karl Levy指出,“ALTUS DirectFill解決方案創(chuàng)新地將先進(jìn)的接觸填充工藝與久經(jīng)考驗(yàn)的諾發(fā)平臺(tái)整合在一起。與傳統(tǒng)的PVD/MOCVD工藝步驟不同,我們的整合式單一平臺(tái)技術(shù)可以增強(qiáng)目前的鎢淀積應(yīng)用,如電接觸和位線,同時(shí)還可用于未來(lái)的應(yīng)用,如電容器電極和金屬柵電極,在這些領(lǐng)域,我們目前正在評(píng)估氮化鎢和鎢的特性。這個(gè)系統(tǒng)體現(xiàn)出巨大的技術(shù)優(yōu)勢(shì),而且不會(huì)影響生產(chǎn)力。”
這個(gè)新工具可用于8英寸硅片(Concept Two ALTUS DirectFill)和12英寸硅片(Concept Three ALTUS DirectFill)。目前正在與全球二十多家客戶合作,聯(lián)合開(kāi)發(fā)各種應(yīng)用和新興技術(shù)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝。
