現(xiàn)在盤點2004年半導體技術市場似乎還有一點點早。不過在作今年最后一本雜志時,回想即將過去的一年,似乎浸入式光刻、CMP和FPD是映入我腦海最多的三個技術名詞。由于技術研發(fā)的成本很大程度上正在由設備廠商承擔,對于象Intel這樣的領先技術鐵桿兒用戶去年修改藍圖,放棄157nm,轉而使用193nm浸入式光刻,設備廠商似乎只能默默獨自承擔那筆昂貴的前期研發(fā)費用了。而它們的轉型速度也非�？臁�9月,Intel已向ASML發(fā)出了定單;10月,AMSL宣布已
現(xiàn)在盤點
2004年半導體技術市場似乎還有一點點早。不過在作今年最后一本雜志時,回想即將過去的一年,似乎浸入式光刻、
CMP和FPD是映入我腦海最多的三個技術名詞。
由于技術研發(fā)的成本很大程度上正在由設備廠商承擔,對于象In
tel這樣的領先技術鐵桿兒用戶去年修改藍圖,放棄157nm,轉而使用193nm浸入式光刻,設備廠商似乎只能默默獨自承擔那筆昂貴的前期研發(fā)費用了。而它們的轉型速度也非常快。9月,Intel已向ASML發(fā)出了定單;
10月,AMSL宣布已有一家美國客戶完成了對Twinscan AT:
115i浸入式光刻機的認證,該機臺已可以正常工作。同時Nikon也有希望向Intel提供浸入式光刻機,因為Nikon與ASML同樣是Intel的主要光刻機供應商。
今年下半年,
IBM已悄無聲息的修改了藍圖,將193nm浸入式光刻作為其實現(xiàn)45nm的主導設備。而且IBM正與ASML、TEL和Albany NanoTech共同優(yōu)化193nm浸入式光刻的工藝和材料。
AMD、Infineon和Micron也已制定了實施193nm 浸入式光刻技術的計劃。
對于45nm, 整個業(yè)界似乎已放棄了157nm。10月,IMEC宣布已聯(lián)盟了30家公司,共同開展浸入式光刻技術的研發(fā),其中不乏Intel、
Samsung、
TI、Infineon、STMicroelectronics、
NEC等國際半導體巨頭,ASML、Carl Zeiss、 Cymer、KLA-Tencor、 Lam Research.和TEL等設備廠商,AZ、TOK、Photronics和 Mentor Graphics等光刻膠、掩膜版和軟件廠商都參與了這項研究。
不過對32nm結點,是EPL還是EUV,或是納米圖形轉印技術至今還沒有定論。ASML中國區(qū)技術行銷經理程天風從歷史發(fā)展的角度分析,認為“光刻可以一直延續(xù)”。而作為設備廠商,在不知道下一步的技術路線會走向何方時,技術觸角一定是伸向四面八方的。AMSL與Lucent Technologies的貝爾實驗室合作,已在無掩膜版光刻技術領域有了突破,這對于ASIC生產和小批量的代工廠來說,甩開掩膜版、降低制造成本的曙光又亮了一點兒。一直只在后道設備領域的東精精密公司在進入前道時,將EPL就作為了一個突破口,認為傳統(tǒng)光刻廠商在此并沒有優(yōu)勢。
再談談CMP,CMP的耗材費用一直是人們不能不關心的問題。今年Applied Materials、Ebara和Novellus這3家CMP領域的競爭對手似乎統(tǒng)一了口徑,選擇了降低成本作為突破口,新品推出的時間也都選在了7月SEMICON West前后。
作為在
2003年占有65％CMP市場份額的Applied Materials來說,降低耗材費用已成為不得不為之事,因為每次筆者采訪其競爭對手,耗材都是被重點“攻擊”的對象。此次的Reflexion LK Ecmp系統(tǒng)專為90nm、65nm和45nm的銅/低k材料設計,采用低成本的電解液替代昂貴的銅研磨漿。據(jù)Applied Materials項目經理Robert Ewald介紹,新設備可節(jié)約30％的耗材成本,而且下壓力小于0.2
psi。
Ebara的新一代CMP有兩款,FREX200和FREX
300,其設計采用兩個研磨頭和平臺,將產能提高了
40％。Novellus的新一代產品Xceda有4個拋光
模塊,其通
