HynixSemiconductor的主要債權(quán)銀行8月9日表示,有關(guān)Hynix赴中國無錫設(shè)立晶圓廠已獲得75%的債權(quán)人同意通過。根據(jù)計劃,Hynix將先行興建8吋晶圓廠,由Hynix出資1億美元現(xiàn)金與相當(dāng)于2億美元的設(shè)備,STMicro則投資1.5億美元,并由中國當(dāng)?shù)亟鹑跈C構(gòu)支持1億美元,該廠預(yù)計于2004年下半開始動工。從三方投資比例來看,就像兩年前上海松江引入TSMC投資案一樣,無錫ZF可謂下了血本、勢在必奪,以期提升當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)檔次,這可以理解。那為什么Hynix
Hynix Semiconductor的主要債權(quán)銀行8月9日表示,有關(guān)Hynix赴中國無錫設(shè)立晶圓廠已獲得75%的債權(quán)人同意通過。根據(jù)計劃,Hynix將先行興建8吋晶圓廠,由Hynix出資1億美元現(xiàn)金與相當(dāng)于2億美元的設(shè)備,STMicro則投資1.5億美元,并由中國當(dāng)?shù)亟鹑跈C構(gòu)支持1億美元,該廠預(yù)計于
2004年下半開始動工。從三方投資比例來看,就像兩年前上海松江引入TSMC投資案一樣,無錫ZF可謂下了血本、勢在必奪,以期提升當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)檔次,這可以理解。那為什么Hynix非要與STMicro綁在一起,并選定中國呢？
事實上,無錫投資項目并非Hynix與STMicro的首次合作,早在03年4月Hynix便與STMicro簽訂5年合作備忘錄,計劃合作發(fā)展NAND型閃存（
Flash）,以目前全球NAND型Flash市場仍掌握在
Samsung與
Toshiba手中,Hynix希望藉由獲得STMicro授權(quán)替其制造NAND型Flash,企圖在2005年前成為全球第三大NAND型Flash廠,與Samsung、Toshiba形成3強鼎立的競爭格局。
那么Hynix與Samsung、Toshiba競爭為什么要選擇到中國呢？中國大陸半導(dǎo)體業(yè)投資前景看好,這已是全球半導(dǎo)體業(yè)者的共識。意法副總裁Alain Dutheil曾表示,該公司估計到2008年大陸半導(dǎo)體市場可望達(dá)1000億美元規(guī)模,居全球各區(qū)域市場首位。中國大陸市場商機無限,在資本密集的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),廠商若能藉由策略聯(lián)盟進(jìn)入大陸市場,更可擴(kuò)展經(jīng)濟(jì)效益,廠商越早進(jìn)入中國大陸市場立穩(wěn)腳跟,就可越早進(jìn)入收獲期。而對于欠缺資金的Hynix而言,與在中國已大獲成功的STMicro攜手投資,無疑是明智的選擇。而對STMicro而言,這項策略聯(lián)盟將可協(xié)助STMicro的前道業(yè)務(wù)順利進(jìn)入中國。雖然STMicro目前主要業(yè)務(wù)為NOR型Flash,但與Hynix策略合作,可協(xié)助其開拓
其它內(nèi)存芯片市場。
目前Hynix在中國DRAM市場份額約占
40%,若想在此基礎(chǔ)上更進(jìn)一步,技術(shù)與資金的瓶頸便開始顯現(xiàn)。更為重要的是,Hynix正面臨歐盟與美國高達(dá)30～40％懲罰性關(guān)稅,若在中國設(shè)廠所生產(chǎn)的產(chǎn)品進(jìn)入歐美市場,則不需繳納高額關(guān)稅。當(dāng)然,中國地方ZF對"造芯運動"的熱衷,投資者所能得到的各項優(yōu)惠吸引力,也是Hynix與STMicro難以抗拒的,因為在未來計劃籌建的
12吋晶圓廠中,是由Hynix與STMicro分別投資2億美元、3.5億美元,但中國當(dāng)?shù)亟鹑跈C構(gòu)卻有6.5億美元的資金支持。所以,就有了三方各取所需的一拍即合,Hynix的債權(quán)人也由起初的反對轉(zhuǎn)為支持。
