Aviza與瑟思將重點集中于ALD膜層的晶圓背面和倒角處的去除解決方案
2005年7月11日訊—經(jīng)過量產(chǎn)驗證的熱處理系統(tǒng)以及原子膜層沉積（ALD）的全球供應(yīng)商Aviza Technology公司,和半導(dǎo)體業(yè)界中單晶圓濕式處理技術(shù)的市場領(lǐng)先者及首要的技術(shù)創(chuàng)新者SEZ（瑟思）集團于今日聯(lián)合宣布,將攜手應(yīng)對新一代IC制造過程中面臨的關(guān)于去除ALD膜層的一系列重要挑戰(zhàn)。協(xié)議約定,兩個公司將利用雙方的專家技術(shù),共同開發(fā)應(yīng)用于ALD高級膜層的沉積和去除等解決方案,合作重點將是晶圓的背面和倒角。
SEZ全球新興技術(shù)部總監(jiān)Leo Archer博士評論說：“隨著半導(dǎo)體器件的日益復(fù)雜化,在IC制造工藝過程中,晶圓背面和倒角膜層的去除技術(shù)也變得越來越重要。”他進一步表示：“由于雙方都能夠很好地定位以解決90納米技術(shù)節(jié)點以下的膜層沉積和去除的復(fù)雜問題,因此與Aviza Technology公司的合作將是一個雙贏的創(chuàng)舉。通過開發(fā)、定義以及細化ALD膜層去除的工藝制程,我們確信能夠為客戶提供他們所需要的解決方案,以應(yīng)對先進的半導(dǎo)體制造的挑戰(zhàn)。”
退火的條件往往能夠影響到晶圓背面和倒角膜層去除工藝過程的復(fù)雜程度。隨著晶體化水平的不斷增加,經(jīng)過退火的膜層需要定制化的生產(chǎn)程式和化學(xué)品,以確保精確的去除,同時還要能夠保證膜層屬性的完整性,并降低交叉污染－進而提高良率。由于合成物的復(fù)雜性,這種高級膜層的目標(biāo)往往定位于45納米的高k值的門極絕緣體－諸如氧化鉿（HfO）、硅酸鋁（HfSiO）,氮氧硅酸鉿（HfSiO/N）以及金屬類的釕（Ru）－在膜層去除的階段,引發(fā)了更大的挑戰(zhàn),即要有選擇地去除從晶圓背面和倒角處的這些材料導(dǎo)致的污染,同時對晶圓正面進行有控制地保護,以防止交叉污染和微塵粒子的產(chǎn)生。這些可能會導(dǎo)致一些會影響器件性能、薄膜分層和光刻的問題,最終會影響器件的良率。因為,當(dāng)基層材料是硅、氧化硅、或者是氮化硅時,過多的除去在下面的基層材料未必有利,甚而可能造成不必要的傷害。過量的蝕刻可能會去除一層必要的擴散柵極,也可能會影響晶圓的表面平整度和均一度。因此,膜層去除的選擇比很重要。
顯而易見,SEZ的旋轉(zhuǎn)處理器技術(shù)有利于這類工藝制程,原因是該技術(shù)允許將已長有圖形（patterned）的晶圓正面朝下,在已獲得專利的柏努利（Bernoulli）卡盤上進行處理。而且更為重要的是組合的卡盤、化學(xué)品配送系統(tǒng)以及反應(yīng)倉使得晶圓正面到預(yù)先定義的距離上的高度控制的保護。
