在每平方英寸芯片面積上制成200兆單元的MOSFET工藝技術，使集成度提高了4倍
分立半導體器件制造商GeneralSemiconductor公司（位于紐約州的Melville）,具有在每平方英寸芯片面積上制成200兆單元的專有MOSFET工藝技術。采用這種技術可以進一步縮小功率MOSFET。該項工藝技術可以使集成度提高4倍,或者可以使稱為GENFET的器件縮小50%,因而它比現(xiàn)有的器件,更適合移動電話機,筆記本電腦,PDA,以及其它的無線電產(chǎn)品的應用。
General Semiconductor公司的GENFET MOSFET器件,采用專有的200兆單元/平方英寸的工藝技術,比以前的工藝縮小了50％;導通電阻RDS（ON）達到0.41mΩ/cm2,比原先采用49兆單元/每平方英寸工藝制造的器件,改進了40％
GENFET器件是采用該公司的0.35μm,深槽工藝制造的。在30Vp溝道器件中,PDS（on）可以達到0.41mΩ/cm2,比現(xiàn)有的49兆單元/平方英寸的器件,提高了40%。除此而外,它的性能系數(shù),即導通電阻與柵極電荷的乘積,提高了60%。結果使器件的效率得到提高,功率耗散得到降低。
GENFET MOSFET采用6根引出端的SOT-23和SOT-363封裝,在今年2季度末可以提供樣品,今年夏季開始批量生產(chǎn)。如果希望進一步了解情況,請和General Semiconductor公司的Ron Clifford聯(lián)系。電話號碼為：001-631-847-3355;fax為：001-631-847-3022;電子郵箱為：[email protected]。
