SiGe晶體管工作頻率達(dá)500GHz(圖)
來自IBM和佐治亞理工大學(xué)（Georgia Institute of Technology）的研究人員近日宣布,他們研發(fā)的基于SiGe工藝的晶體管工作頻率達(dá)到500GHz,比現(xiàn)有的手機中所用的晶體管的工作頻率快250倍。到目前為止,只有采用昂貴的III-V族混合半導(dǎo)體材料的IC才能達(dá)到這種性能。
SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管工作在 4.5K溫度下,該低溫是通過液氦冷卻獲得。在室溫下,該晶體管的工作頻率為350GHz。測試實驗是通過佐治亞理工大學(xué)電子設(shè)計中心的一個特制的高頻測試系統(tǒng)完成的。
>>位于佐治亞理工大學(xué)電子設(shè)計中心的低溫測試站在封閉裝置內(nèi)的黑色廣場就是SiGe芯片雖然該破記錄的速度是在極低溫的環(huán)境下獲得的,但結(jié)果仍然表明SiGe器件的性能上限可能超過人們的最初期望。該研究小組的下一步目標(biāo)是搞清楚這種SiGe晶體管的背后物理原理,為什么在極低溫度下會出現(xiàn)如此不尋常的性能表現(xiàn)。如想了解更多信息,請與佐治亞理工大學(xué)的John Toon聯(lián)系,電話：001-404-894-6986,Email：[email protected];或者致電IBM的Glen Brandow,電話：001-914-766-4615,Email：[email protected]。
