Intel展望2022年將邁向4納米工藝
Intel日本分公司昨日在筑波市舉行了一次技術會議，內容頗為豐富，涉及半導體技術現(xiàn)狀與未來、Nehalem微架構、ATM主動管理技術、Anti-Thefe防盜技術、My WiFi無線技術等等。
其中有關半導體制造工藝的展望引起了我們的特別關注。近十幾年來，Intel以每兩年升級一次的速度從0.25微米(um)一路走到了45納米(nm)，中間歷經(jīng)了0.18微米、0.13微米、90納米、65nm等四個世代，并帶來了多種技術革新，比如晶圓尺寸從200毫米到300毫米、內部互聯(lián)材料從鋁到銅、通道從硅到應變硅、柵極電介質從二氧化硅到高K材料、柵極電極從多晶硅到金屬……
等到2010年初，32納米就將成為現(xiàn)實(也就是Westmere家族的Clarkdale和Arrandale雙核心處理器)，再往后仍然是兩年一次升級，相繼經(jīng)過22納米、16納米、11納米、8納米、6納米，直到13年后的2022年達到4納米。當然了，這一過程仍會涉及大量技術進步，而且更加復雜、先進，比如晶體管會從平面型轉向FinFET三維型。
很顯然，Intel對延續(xù)摩爾定律充滿了信心，不過這更像是一種愿景，具體發(fā)展進程還要邊
走邊看了，畢竟半導體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)會越來越大。
Intel也確實用很大篇幅談到了半導體行業(yè)形勢的嚴峻，特別是資本支出(Capex)。之前我們也說過，年投資超過10億美元的半導體巨頭在2006-2007年有多達16家，2008年只剩下一半，今年則估計僅有Intel、三星、臺積電這三家。
另外在1997年，全球范圍內擁有自家晶圓廠的半導體企業(yè)有127家之多，2001年減少到101家，2006年就只有84家了，而無工廠模式的收入比例在2000年還只有10％(17億美元)，2007年已經(jīng)達到27％(460億美元)，預計2012年會有25％(1100億美元)。
技術方面的挑戰(zhàn)則有光刻技術與設備、材料與設計、芯片封裝尺寸、測試時間與成本等四個方面。具體來說，光刻設備未來會使用遠紫外線(EUV)技術(預計22-16納米世代)、元素周期表內被使用的元素日漸增多、芯片封裝必須適應小到消費電子設備達到高性能計算系統(tǒng)、平均測試成本在45納米和32納米世代不降反升。
盡管挑戰(zhàn)巨大，但作為業(yè)內最大的半導體帝國，Intel的資本支出規(guī)模仍然是其它廠商難以相比的。2008年Intel資產(chǎn)、工廠和設備投資52億美元，研發(fā)投資57億美元，預計2009年前者略降、后者保持平穩(wěn)。
為了研發(fā)32納米技術并興建工廠，Intel計劃在最近幾年內投資高達70億美元。
Intel還加大了對亞洲地區(qū)的投資力度，位于我國大連的Fab68和越南的A9/T9都已經(jīng)在建設之中，前者是Intel在亞洲的第一座300毫米晶圓廠。
