Vishay Intertechnology推出新型SiP21110 250mA LDO穩(wěn)壓器,新組件采用可節(jié)省空間的超薄SOT23-5L封裝,可在1mA負(fù)載時(shí)提供35μA的低典型接地電流,有助于延長(zhǎng)電池供電系統(tǒng)及攜帶型電子設(shè)備中相鄰兩次充電之間的電池運(yùn)作時(shí)間。
新組件應(yīng)用領(lǐng)域包括手機(jī)與無(wú)線手持終端、PDA、數(shù)字相機(jī)、尋呼機(jī)、無(wú)線調(diào)變解調(diào)器及掌上型醫(yī)療設(shè)備。SiP21110具有可透過(guò)外部電阻網(wǎng)絡(luò)在1.3V至5V之間變化的可調(diào)輸出電壓,以及+25℃時(shí)1.0%的高輸出電壓精度。
其設(shè)計(jì)架構(gòu)可利用超小的低ESR陶瓷輸出電容器實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的運(yùn)作,從而縮減板面空間以及降低組件成本。其它SiP21110特性包括出色的瞬態(tài)響應(yīng)、具有快速恢復(fù)時(shí)間的低峰值到峰值瞬態(tài)輸出電壓,以及高PSRR,同時(shí)電流損耗最低。
在為啟動(dòng)時(shí)具有高突波電流的系統(tǒng)提供330mA的典型峰值電流的同時(shí),該組件可保持穩(wěn)壓。在啟動(dòng)過(guò)程中,主動(dòng)下拉電路可改進(jìn)輸出瞬態(tài)響應(yīng)及穩(wěn)壓。在關(guān)斷模式下,透過(guò)利用100Ωn通道MOSFET將輸出與接地裝置相連,該輸出可自動(dòng)放電。
為實(shí)現(xiàn)安全運(yùn)作,該組件具有熱過(guò)載(典型值+160℃)及內(nèi)建短路保護(hù)(典型值500mA),+85℃時(shí)最高關(guān)斷電流為1μA。SiP21110在-40℃~+125℃的結(jié)溫范圍內(nèi)運(yùn)行。