Intersil MOSFET驅(qū)動器提供最高輕負(fù)載效率
全球高性能模擬半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司日前宣布，推出新系列12V至5V同步整流降壓式MOSFET驅(qū)動器，為英特爾 VR11.1系統(tǒng)提供業(yè)界最高的輕負(fù)載效率。
ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力，以及快速上升/下降時(shí)間，支持高達(dá)1MHz的開關(guān)頻率。這將有助于實(shí)現(xiàn)非常高的總體效率。
ISL6622結(jié)合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N溝道MOSFET，其先進(jìn)PWM協(xié)議可為先進(jìn)微處理器提供完整的內(nèi)核電壓穩(wěn)壓器解決方案。
ISL6622有助于實(shí)現(xiàn)提高輕負(fù)載效率所需PSI模式期間的二極管仿真操作，并通過電感器電流為零時(shí)的檢測實(shí)現(xiàn)非連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)。當(dāng)檢測到“零”時(shí)，低側(cè)MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，以防止出現(xiàn)吸收電流并消除伴隨反向電流的功率損失。Intersil的柵極電壓優(yōu)化技術(shù)(GVOT)還可用于PSI模式；通過降低柵極驅(qū)動電壓，可以顯著降低控制輕負(fù)載條件下總功耗損失的開關(guān)損耗。這增加了ISL6622提供的總效率。
這些PWM控制器還具有自適應(yīng)擊穿保護(hù)功能，以防止高低側(cè)MOSFET的同時(shí)導(dǎo)通。此外，這些控制器還集成了一個(gè)20kΩ的高側(cè)柵極至源極電阻器，以防止由于高輸入總線差動電壓引起的自導(dǎo)通。
與VCC同時(shí)操作的過壓保護(hù)可以降至POR閾值：PHASE節(jié)點(diǎn)可通過一個(gè)10kΩ電阻器連接至低側(cè)MOSFET(LGATE)的柵極，以使轉(zhuǎn)換器的輸出電壓保持接近低側(cè)MOSFET柵極閾值。這種能力可以防止出現(xiàn)負(fù)載高側(cè)MOSFET短路的情形。
該驅(qū)動器采用具有不同驅(qū)動電壓的兩種封裝類型。ISL6622采用8引線SOIC封裝，可在正常PWM模式期間將高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動至VCC；在PSI模式時(shí)將低側(cè)柵極降至固定5.75 V典型值。ISL6222A采用10引線DFN封裝，通過UVCC引腳可以將高側(cè)柵極驅(qū)動到5V至12V；低側(cè)柵極有一個(gè)可選的電阻器，可以在PSI模式下驅(qū)動5.75V、6.75V和7.75V的典型電壓。
新系列MOSFET驅(qū)動器適用于采用英特爾處理器構(gòu)建的各種服務(wù)器、工作站、臺式機(jī)和游戲主板應(yīng)用。同時(shí)，它們也是VRM應(yīng)用的理想設(shè)計(jì)方案。
