用來(lái)生長(zhǎng)化合物晶體的各組份和摻雜劑都可以以氣態(tài)方式通入反應(yīng)室中,可以通過(guò)控制各種氣體的流量來(lái)控制外延層的組分,導(dǎo)電類(lèi)型,載流子濃度,厚度等特性。
因有抽氣裝置,反應(yīng)室中氣體流速快,對(duì)于異質(zhì)外延時(shí),反應(yīng)氣體切換很快,可以得到陡峭的界面。
發(fā)光二極管對(duì)外延片的技術(shù)主要有以下四條:
①禁帶寬度適合。
②可獲得電導(dǎo)率高的P型和N型材料。
③可獲得完整性好的優(yōu)質(zhì)晶體。
④發(fā)光復(fù)合幾率大。
外延技術(shù)與設(shè)備是外延片制造技術(shù)的關(guān)鍵所在,金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱(chēng)MOCVD)技術(shù)生長(zhǎng)III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。II、III族金屬有機(jī)化合物通常為甲基或乙基化合物,如:Ga(CH3)3,In(CH3)3,Al(CH3)3,Ga(C2H5)3,Zn(C2H5)3等,它們大多數(shù)是高蒸汽壓的液體或固體。用氫氣或氮?dú)庾鳛檩d氣,通入液體中攜帶出蒸汽,與V族的氫化物(如NH3,PH3,AsH3)工作原理,技術(shù)特點(diǎn)混合,再通入反應(yīng)室,在加熱的襯底表面發(fā)生反應(yīng),外延生長(zhǎng)化合物晶體薄膜。
MOCVD具有以下優(yōu)點(diǎn):
外延發(fā)生在加熱的襯底的表面上,通過(guò)監(jiān)控襯底的溫度可以技術(shù)特點(diǎn)控制反應(yīng)過(guò)程。
在一定條件下,外延層的生長(zhǎng)速度與金屬有機(jī)源的工作原理供應(yīng)量成正比。
MOCVD及相關(guān)設(shè)備技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀:
MOCVD技術(shù)自二十世紀(jì)六十年代首先提出以來(lái),經(jīng)過(guò)七十至八十年代的發(fā)展,九十年代已經(jīng)成為砷化鎵、磷化銦等光電子材料外延片制備的核心生長(zhǎng)技術(shù)。目前工作原理已經(jīng)在砷化鎵、磷化銦等光電子材料生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用。日本科學(xué)家Nakamura將MOCVD應(yīng)用氮化鎵材料制備,利用他自己研制 的MOCVD設(shè)備(一種非常工作原理,技術(shù)特點(diǎn)特殊的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)),于技術(shù)特點(diǎn)1994年首先生產(chǎn)出高亮度藍(lán)光和綠光發(fā)光二極管,1998年實(shí)現(xiàn)了室溫下連續(xù)激射10,000小時(shí),取得了劃時(shí)代的進(jìn)展。到目前為止,MOCVD是制備氮化鎵發(fā)光二極管和激光器外延片的主流方法,從生長(zhǎng)的氮化鎵外延片和器件的性能以及生產(chǎn)成本等主要指標(biāo)來(lái)看,還沒(méi)有其它方法能與之相比。
國(guó)際上MOCVD設(shè)備制造商主要有三家:德國(guó)的AIXTRON公司、美國(guó)的EMCORE公司(Veeco)、英國(guó)的Thomas Swan 公司(目前Thomas Swan公司被AIXTRON公司收購(gòu)),這三家公司產(chǎn)品的主要區(qū)別在于反應(yīng)室。
這些公司生產(chǎn)MOCVD設(shè)備都有較長(zhǎng)的歷史,但技術(shù)特點(diǎn)對(duì)氮化鎵基材料而言,由于材料本身研究時(shí)間不長(zhǎng),對(duì)材料生長(zhǎng)的一些物理化學(xué)過(guò)程還有待認(rèn)識(shí),因此目前對(duì)適合工作原理氮化鎵基材料的MOCVD設(shè)備還在完善和發(fā)展之中。國(guó)際上技術(shù)特點(diǎn)這些設(shè)備商也只是1994年以后才開(kāi)始生產(chǎn)適合氮化鎵的MOCVD設(shè)備。目前生產(chǎn)氮化鎵中最大MOCVD設(shè)備一次生長(zhǎng)24片(AIXTRON公司產(chǎn)品)。國(guó)際上對(duì)氮化鎵研究得最成功的單位是日本日亞公司和豐田合成,恰恰這些公司不出售氮化鎵生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備。日本酸素公司生產(chǎn)的氮化鎵-MOCVD設(shè)備性能優(yōu)良,但該公司的設(shè)備只在日本出售。