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低壓大電流MOSFET新產品發(fā)布,低壓MOS技術特點
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低壓大電流MOSFET新產品發(fā)布,低壓MOS技術特點  2012/4/18

    新的大電流MOSFET采用了IXYS專利的ISOPLUS封裝工藝!這種ISOPLUS i5-Pak封裝的 大電流MOSFET特點是導通損耗和開關損耗極低,有硬開關需要的雪崩額定值。它結合了非常好的絕緣,散熱低壓MOSFET能力和高功率循環(huán)能力等優(yōu)點。同時可以低壓MOSFET靈活地把不同拓樸結構封裝于其中。以這系列的大電流MOSFET為例,該產品有5個管腳。集成了并聯(lián)的兩個MOSFET,以兩個內部相聯(lián)的管腳作輸出,使該封裝的電流處理能力高達150A,大大超出傳統(tǒng)封裝電流處理低壓MOS技術特點能力的極限!這一系列采用ISOPLUS i5-Pak 封裝的MOSFET集成了兩個大電流MOSFET芯片,是高可靠性,高大電流處理能力的絕緣封裝的產品。低壓MOS技術特點傳統(tǒng)的分立器件的封裝的電流處力能力基本上都是局限在75A以下,這大大低于其內部的晶片的電流處力能力。而IXYS的ISOPLUS i5-Pak封裝就是為克服這一難點設計的,

IXYS公司正式推出低電壓大電流采用絕緣封裝的MOSFET,電壓從55V到100V,有極低損耗和極低的Rds(on),這是IXYS公司不斷豐富的針對低電壓,大電流功率變換的應用的產品之一。 

    所有IXYS的ISOPLUS封裝均采用直接銅焊(DCB)技術作內部絕緣低壓MOS技術特點(該技術一般只應用于功率模塊),并且已取得UL認證。其中:IXTL2X240N055T,低壓MOSFET是55V的,Rds(on)僅0.0044歐姆,Rth(jc)僅1.0 k/w  ,IXTL2X18N10T 100V Rds(on)僅0.0074歐姆,Rth(jc)僅1.0 k/w,這些產品能為電動汽車, 電動叉車, 電動摩托車,高爾夫球車等高功率,低電壓的應用提供獨特的高性價比的器件方案。

 

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