低壓MOS基礎(chǔ)知識，低壓MOS催生新功耗分析技術(shù)
多相同步降壓轉(zhuǎn)換器是微控制器(MCU)以及其他運算密集型積體電路(IC)，如數(shù)位訊號處理器(DSP)和繪圖處理器(GPU)供電的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選擇。在同步降壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)，兩個功率MOSFET串聯(lián)形成半橋結(jié)構(gòu)。高處低壓MOS技術(shù)的MOSFET做為控制單結(jié)型FET；低處的MOSFET則為同步FET。
此電路拓?fù)溲葑兊年P(guān)鍵點在于2000年時，引進低壓MOS知識,低壓MOS技術(shù)Pentium 4微處理器以及相關(guān)的ATX12V電源規(guī)范，其中的功率軌(即轉(zhuǎn)換電壓)從5伏特提高至12伏特，以達成微處理器須要快速增加電流的要求。因此而產(chǎn)生的工作周期變化使得功率MOSFET在性能優(yōu)化方面發(fā)生重大變革，并全面采用QGD×RDS(on)和QG×RDS(on)等效益低壓MOS知識指數(shù)作為功率MOSFET的性能指標(biāo)。然而，過去10年以來，特定尺寸產(chǎn)品中此類FOM和RDS(on)已降低約十倍，QG和QGD已不再是影響功率MOSFET功耗的主要因素。
就控制FET而言，MOSFET封裝和印刷電路板(PCB)連線的寄生電感所產(chǎn)生的功耗可能超過由QGD產(chǎn)生的損耗。降低寄生電感的需求推動Power SO8封裝的普及化，低壓MOS知識并使整合動力的概念于2002年低壓MOS知識,低壓MOS技術(shù)產(chǎn)生，意即將低壓MOS技術(shù)控制和同步FET與MOSFET驅(qū)動器整合于四方形平面無接腳封裝(QFN)中，此概念于2004年獲英特爾(Intel)DrMOS規(guī)范采用。
為因應(yīng)功率MOSFET多面性的損耗，一系列日趨復(fù)雜的運算方式和效益指數(shù)逐被提出。在功耗機制研究領(lǐng)域中，最被看好的技術(shù)是利用如TSuprem4和Medici等TCAD工具制作詳細(xì)的行為模型，并結(jié)合低壓MOS知識,低壓MOS技術(shù)詳細(xì)的電路模擬(如PSpice)，進而產(chǎn)生詳細(xì)的功耗分析結(jié)果。雖然此方法可針對不同的功耗機制進行深入分析，但低壓MOS技術(shù)分析結(jié)果須轉(zhuǎn)換成一套以MOSFET參數(shù)為基礎(chǔ)的FOM，以用于新技術(shù)的研發(fā)。
